三星 2020 年记忆体每月扩产 11.5 万片，NAND Flash 扩产大于 DRAM

随着记忆体市场价格止跌回温，加上看好未来市炒需求激增，南韩记忆体大厂三星计划在 2020 年进行扩产，预计在中国西安与南韩平泽厂区投入 17 兆韩圜的资金，预计每月增加总计 11.5 万片记忆体晶圆产出。

根据南韩媒体《ETnews》报导，三星这次扩产计划，重点将放在 NAND Flash 快闪记忆体，而非 DRAM。原因在于 NAND Flash 快闪记忆体的市场价格回温速度要优于 DRAM，再加上竞争对手目前在 NAND Flash 快闪记忆体也较少扩产，因此选择 NAND Flash 快闪记忆体为主要扩产项目。

报导表示，三星此次的扩产计划，预计在 NAND Flash 快闪记忆体增加每月 6.5 万片晶圆产能，全部集中在中国西安厂。DRAM 方面则增加 5 万片，分别是平泽 1 厂增加 2 万片，平泽 2 厂增加 3 万片。整体来说，中国西安厂第 2 阶段已于 2019 上半年投产。该厂区除了购买新设备，三星还计划将南韩京畿道华城 Line 16 产线的设备迁移西安第 2 阶段工厂。南韩平泽 2 厂将自 2020 年 2 月开始装机，目标是预定 2020 下半年开始生产。

目前三星资本支出约 17 兆韩圜，中国西安厂支出约 9.5 兆韩圜，南韩平泽厂区投资为 6.5 兆韩圜。值得注意的是，这次整个投资比重，三星着重在 NAND Flash 快闪记忆体胜于 DRAM。对此，报导引用南韩半导体业者说法，三星对 NAND Flash 快闪记忆体较 DRAM 更积极，源自目前三星在 NAND Flash 快闪记忆体的库存已到正常水位。

各项研究报告数据都指出，预计 2020 下半年受惠于 5G 手机大量推出，使记忆体使用将大幅提升，也使记忆体供货吃紧。三星 2020 年开始提升记忆体产能扩充，连带影响全球半导体设备企业，为了三星积极扩厂计划而供应设备。