三星跳电激励买方补货，DRAM合约价可能提前Q1起涨

根据最新调查，近一个月来DRAM现货价格持续走扬，加上2019年12月31号三星华城厂区发生跳电，虽然整体记忆体的供给并没有受到重大影响，但观察到各产品买方备货意愿增强。因此再次修正2020年第一季DRAM合约价格预测，由原先的“大致持平”调整为“小涨”，价格正式提前翻转向上。

对于标准型、行动式及利基型记忆体第一季价格预估，由预测的“小跌”调整为“持平或小涨”。价格可望于本季提前调涨，对台记忆体厂南亚科(2408)、华邦电(2344)有利。南亚科即将于10日(本周五)召开法人说明会，预计对记忆体看法转为乐观。

在标准型记忆体部分，预估本季价格持平甚至小涨的可能性高。之前在中美贸易关税的不确定性下，大部分销往美国的笔电都赶在2019年第四季出货，导致2020年第一季的出货较疲弱。但考量今年DRAM的供给位元成长幅度仅不到13%，加上三星跳电的影响，PC OEM厂已做好DRAM即将涨价的可能，当前都以建立更佳的库存水位为目标，因此在采购上愿意接受持平或更高的模组合约价格；若原厂能够在第一季增加供货量，买方甚至愿意接受更高的价格。
 

行动式记忆体方面，第一季智慧型手机市场在5G具有支撑，但因5G晶片初期供应数量有限，加上传统淡季影响，拉货动能偏弱，因此原先预测行动式记忆体Discrete/eMCP价格将较前一季下跌0-5%。然而自去年12月中开始，除了伺服器记忆体与绘图用记忆体需求增温，带动整体价格走势提前反转外，NAND Flash的供应告急同样激励eMCP的价格表现，因此将行动式记忆体的价格预估由“小跌”调整为“大致持平”。

针对利基型记忆体，TrendForce指出，由于三星华城厂区Line 13的DRAM生产重心主要为20/25奈米的利基型记忆体产品，加上受到现货市场价格上扬的影响最直接，使得利基型记忆体价格将提早反弹。目前来看，锁定季度合约价的第一线大客户有机会守住持平，不过原厂的供货达成率(fulfillment rate)不到6成，加上采购端至去年底皆未积极备货，导致库存偏低，月合约价可能将开始逐月向上；此外，重复下单(double-booking)可能导致原厂的供货达成率进一步恶化，因此第一季DDR3和DDR4的价格预估将较前一季上涨0-5%。