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台媒:大陆大举建置记忆体产业链

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2020-01-09
有鉴于AI应用加速普及、5G串起万物联网的海量数据,等同终端应用领域将驱动更高的运算效能需求,更何况后摩尔定律世代,新的晶片技术愈来愈难以达到过去成本降低与效能提升之水准,因而需透过记忆体的革新来缩短运算效能,显然在先进技术汇集的趋势下,记忆体将是重要的发展关键。
更何况中国大陆在全球记忆体市场扮演重要的需求角色,故在中国原先就将建立完整半导体供应链的规画,甚至有来自于美中贸易战、中国去美国化的推波助澜下,使2019至2020年中国官方和民间加速大举建置记忆体产业链。
在此情况下,长江存储在2019年9月已开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND Flash,未来也将提升到128层,同时其NAND Flash产能将于2020年中旬达到4万片、年底为6万片,以及紫光集团宣布将在四川重庆兴建12吋晶圆厂投产DRAM,预定2021年导入量产之后,合肥长鑫自主研发DRAM 19奈米制程进入量产,初期预估每月产能约达2万片,预计到2020年中旬将扩充至4万片后,2020年将锁定17奈米进行研发,以切入标准型PC应用产品为主。
甚至中国集成电路二期大基金入股江波龙,以及江波龙已与长江存储及阿里巴巴店商平台天猫达成战略合作,开发应用长江存储的3D NAND Flash晶片,更正式量产JEDEC标准的DDR III产品;从上述的布局结构亦可知,中国官方将藉由一期、二期大基金来建构记忆体上游晶片制造延伸至下游模组及品牌,打造中国记忆体完整的生态系。
但是2020年中国整体记忆体产能占全球的比重恐尚仅有中个位数,尚不至于对国际市场供需构成威胁,且制程技术约落后全球主要供应商2至3个世代。而且短期内中国记忆体侵权疑虑尚无法完全排除,毕竟先前发生福建晋华与Micron陷入专利技术纠纷事件,而且本土记忆体厂所面临的财务压力仍大;不过中长期中国记忆体规模将逐步扩大,特别是官方给予强力扶植,紫光集团旗下NAND Flash厂长江存储量产持续加速后,后续发展值得观察。
至于对全球主要记忆体供应国南韩与美国而言,资料传输需求增加已进一步刺激记忆体大厂新一波的布局,不过美中贸易战对Samsung、SK Hynix、Micron来说将是弊多于利,以2018年Micron、SK Hynix记忆体销售中国市场的占比分别达到57.0%、39.0%来看,美方的出口管制令的确有损厂商出货给予中国业者的订单。长期而言,随着中国记忆体逐步由无到有,且持续提升半导体自产自销的比重,未来南韩、美国、日本等全球主要记忆体厂商在中国的市场版图势必遭到侵蚀。