三星跳电、铠侠火警 记忆体价格提早反弹

记忆体意外事件频传，引爆价格提早反弹，受到南韩三星跳电事件影响，带动买方备货意愿转强。市场调查指出，第一季DRAM合约价格由原本预估持平转为小涨5%以内；铠侠火警事件，也冲击储存型快闪记忆体（NAND Flash）供应商昨停止报价与供货，市场供应告急，预期恐牵动价格上扬。

记忆体储存研究机构最新调查指出，近月以来，DRAM现货价格持续走扬，加上去年12月31日三星华城厂区发生跳电，整体记忆体的供给虽没有重大影响，但观察买方对各产品别的备货意愿进一步增强。

三星华城厂区Line 13的DRAM生产重心主要为20/25奈米的利基型记忆体产品，受到现货市场价格上扬的影响最为直接，使得利基型记忆体价格将提早反弹，第一季DDR3与DDR4的价格，预估将较前一季上涨0-5%。

标准型记忆体第一季的价格仍在议定中，但预估持平甚至小涨的可能性高；行动式记忆体原本预测价格将较前一季下跌0-5%，但NAND Flash的供应告急，激励eMCP的价格表现，行动式记忆体的价格，由原估小跌调整为大致持平。

继三星跳电事件之后，原名为东芝记忆体的铠侠 （Kioxia）生产线也发生火警，铠侠对客户发出通知，指2020年1月7日上午6点10分，该公司位于日本三重县四日市的Fab 6工厂，内部设备发生火警，火势很快被扑灭，没有造成任何人员伤亡，相关起火原因及工厂生产设备的损害状况，仍待调查与统计。

业界推测，因火灾发生在工厂的无尘室内，可能造成该无尘室短期内无法正常运作，对今年第一季NAND Flash的供货与价格多少会有影响。NAND Flash供应商昨停止报价与供货，市场供应颇有告急现象。

受到此事件影响，加上美光股价飙涨，台厂记忆体族群包括南亚科（2408） 、威刚 （3260） 、华邦电 （2344） 、宇瞻 （8271） 、创见 （2451） 股价昨皆逆势劲扬，成为撑盘的主力军。