三星宣布量产eUFS 3.1储存晶片 平泽厂也将加入6代V-NAND生产

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南韩三星电子在周二 (17 日) 宣布，已经展开 512GB 的 eUFS 3.1 手机储存晶片量产。它的连续写入速度较前代产品 512GB eUFS 3.0 快上 3 倍，达到每秒 1,200MB。另外 6 代 V-NAND 也即将展开量产。

三星表示新的储存晶片可让智慧型手机的资料存取，比起传统 PC 搭配固态硬碟 (SSD) 或 MicroSD 卡，明显还要来的更快。

另外，新的储存晶片的连续读取速度可达到每秒 2,100MB。随机读取和写入的速度也分别可达 100,000 IOPS 及 70,000 IOPS，较广泛使用的 UFS 3.0 版本快上 60%。

容量方面，除了 512GB 之外，在产品线中也将有 256GB 及 128GB 等不同选项。

三星电子也在声明中补充，该公司位在南韩平泽厂的 P1 产线，已即将展开 6 代 V-NAND 的生产。而同时，中国西安厂的 X2 产线也在本月展开 5 代 V-NAND 的生产。

三星电子于 2017 年后期展开 512GB 快闪记忆体的大量生产，并于 2018 年开始搭载于自家的智慧型手机上头。

还有自本月初以来，三星也加强南韩半导体工厂的新冠肺炎 (COVID-19) 筛检程序，以避免相关的问题再度发生。

三星电子位在南韩的龟尾厂，曾在今年 2 月及 3 月时，因有员工感染肺炎而多次停工。有外媒报导三星为确保高阶智慧型手机的稳定供应，正打算把更多产能移转到越南，直到疫情降温为止。