南亚科建10nm DDR5试产线 资本支出追加65.6亿

南亚科今年将加速先进制程开发，自行研发的10奈米世代DRAM新型记忆胞技术，可让DRAM制程持续微缩至少3个世代。第一代的10奈米世代制程前导产品8Gb DDR4/LPDDR4及DDR5将建构在自主的制程技术及产品技术平台，下半年陆续进入产品试产。

南亚科6日召开董事会，为建置10奈米级制程试产线，董事会决议新增109年度资本支出预算。新增资本支出预算以不超过新台币65.6亿元为上限，加计今年2月26日董事会决议通过资本支出预算新台币92亿元，南亚科今年度资本支出预算上修，最多以不超过新台币157.6亿元为上限。