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替代硬盘的低成本快闪储存装置:QLC开始进入企业储存应用

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2020-05-07
虽然在效能与寿命方面存有疑虑,但QLC NAND快闪记忆体仍开始大举进入企业储存阵列,以硬碟替代者的角色,推动企业储存进一步“快闪化”
继应用于SSD之后,QLC快闪记忆体也于近期开始为企业级储存阵列使用。
Intel与美光同时在2018年上半年,发表世界上最早的一批QLC SSD产品,时隔近两年后,不仅市场上的QLC SSD产品逐渐增加,Pure Storage与Nexsan等储存系统厂商,也在2019年底到2020年初之间,陆续推出基于QLC快闪记忆体的企业级储存阵列,因此,让QLC快闪记忆体的应用扩展,迈出了关键一步。
比预期更好的QLC快闪产品
打从研发阶段起,QLC快闪记忆体在寿命、可靠性与效能的疑虑,便是这种新型快闪记忆体最为人关注的议题。
QLC的每个单元可记录4个位元的资料,比TLC高出33%,更比MLC高出一倍,可提供更高的储存密度,但相对的,QLC需要控制16组电压状态,相较下,TLC与MLC只须控制8种与4种电压状态。因此QLC的写入机制更为复杂与缓慢,在可靠性、寿命与效能方面,先天上就存在局限,但这只是就基本原理的比较,对于实际的产品来说,便未必如此。
快闪记忆体的储存架构,只是影响SSD整体寿命的因素之一,QLC快闪记忆体的先天架构虽然不利于效能与寿命,但结合各式存取管理技术,构成完整的SSD产品后,QLC SSD的整体表现,其实不像原先预期那样差。
事实上,QLC SSD的先天架构虽然存在局限,但拜问世较晚之赐,可以应用更新颖的制程、改进的晶片堆叠架构,以及SLC快取等技术,比起同一世代的TLC产品,虽然有所不如,但比起前几个世代技术的MLC、TLC产品,实际上的表现已不逊色。
我们以Intel在2018年第3季推出的第1代资料中心级QLC SSD产品——基于3D QLC快闪记忆体的D5-P4320系列为例(7.68TB),这款产品的耐用性(PBW,生命周期总写入容量),相比于同时期推出的资料中心级TLC SSD如DC P4610,耐用性大约只有同容量TLC SSD的1/3,而在效能方面,QLC SSD的读取效能与TLC SSD相近,写入效能则有较大落差。
不过这是以同一世代产品的对比而言,若与上一世代的TLC SSD相比,则较晚推出的QLC SSD,耐用性与效能表现其实已经相差不远。
而且QLC SSD产品改进的速度十分迅速,以Intel的产品为例,在 2018年中推出的第1代入门级QLC SSD产品660p,之后不到一年时间、于2019年中发表的第2代产品665p,效能便有10%左右的提升,写入寿命更有50%的跃进。因此我们可以预期,QLC SSD的效能与寿命都还有很大的改善空间。

【比较不同类型快闪记忆体的写入寿命】
NAND Flash记忆体的发展,朝着更高储存密度、更低单位成本,但耐用性也更低的方向发展。例如,从SLC、MLC、TLC、QLC,以至刚推出的PLC,储存密度持续成长,但写入寿命也不断降低,因此,QLC与PLC也更依赖控制器的管理与超额配置等机制,来弥补先天寿命的缺陷。

QLC更有利于超额容量配置
QLC快闪记忆体藉由高储存密度与低单位成本优势,也更有利于提供SSD的超额容量配置(Over-Provisioning),来进一步改善效能与寿命。
依照美光的实测数据,比起完全不使用超额容量,预设5%超额容量,可使SSD寿命延长一倍,并提高100%的IOPS效能。事实上,多数SSD都提供了7%的超额容量配置,一些强调写入应用的SSD,则提供了20%以上的超额容量配置,有些储存设备还允许使用者自行设定超额容量。所谓的超额容量配置,就是系统保留的未使用空间,在额定容量耗尽时,可藉由将资料写入保留空间,从而让SSD避免执行会耗损效能与寿命的重新抹写作业。而利用这些额外空间,SSD不仅可以有效降低写入放大率(Write Amplification),也能更有效率地执行GC垃圾回收机制(garbage collection)、损耗均衡(wear-leveling) 与坏区管理(bad block management)等作业,从而延长SSD使用寿命,并提高写入效能。
然而,超额容量的使用,是以成本为代价,越高比例的超额容量配置,能带来更大幅度的效能与寿命改善,不过,成本也越高,虽然长期来看有效益,但用户必须付出较高的短期成本。
不过随着QLC这种低单位成本的快闪记忆体实用化,将可望缓解这个问题,让用户可以使用更高的超额容量配置,但又不致增加太多成本负担。

【QLC快闪记忆体提供更高储存密度】
QLC NAND快闪记忆体每个单元可记录4个位元的资料,而MLC与TLC快闪记忆体的每个单元则只能记录2个位元与3个位元的资料,因而QLC快闪记忆体的储存密度较MLC与TLC分别高出一倍与33%,适合作为低成本的大容量储存装置,自2018年中起,开始被应用SSD上,接着又从2019年底扩散到储存阵列产品中,扮演替代硬碟的低成本快闪储存装置角色。

QLC不仅止于传统硬碟的替代者
虽然QLC SSD的实际表现,可以接近低阶TLC SSD的层次,但目前的QLC SSD供应商,以及采用QLC SSD的储存阵列产品,都不是把QLC当作TLC的后继者,而是让其扮演传统机械式硬碟替代者的角色。在作为大容量储存应用时,QLC SSD可拥有与硬碟同等级的低廉成本,同时还有效能、空间与能耗的优势。
尽管QLC SSD的效能比不上TLC SSD,但依然高于传统的机械式硬碟,还拥有容量密度的优势,只需较少的数量,就能满足同样的效能与空间需求。
如Pure Storage与Nexsan这两家QLC快闪储存阵列的先驱厂商,都把他们的产品定位于二线大容量储存应用,而与基于TLC的第一线产品有所区隔。
然而,随着QLC快闪记忆体技术的持续改进,当前这种区分TLC与MLC用途的作法,很可能会产生变化,甚至重演几年前TLC取代MLC的历史。
距今不过4、5年,当时TLC快闪记忆体产品刚投入市场,在MLC与TLC之间,也存在着类似的应用区分——MLC拥有较佳的效能与寿命,TLC则在储存密度与成本方面居于优势。
但随着技术的演进,改进后的TLC,也具备足够的效能与寿命,这也促使厂商与用户们都趋向使用成本更低、储存密度更高的TLC,而TLC最终也取代了MLC的角色。
日后QLC很可能重演这样的发展,经过厂商进一步改进后,便能取代一部份TLC的角色,特别是在低阶快闪储存产品方面。