出货受疫情影响 Q1 DRAM整体产值季减4.6%

第 1 季 DRAM 供应商库存去化得宜，季末库存水位已显著下降，降价求售压力不再，使整体 DRAM 均价较上季上涨 0-5%，但受肺炎疫情影响，各国祭出封城政策，导致物流受阻，DRAM 位元出货量也受影响，第 1 季 DRAM 整体产值衰退 4.6%、为 148 亿美元。

第 1 季受阻的出货将递延至第 2 季，在 DRAM 均价上涨幅度扩大，且出货量同时提升下，预期第 2 季 DRAM 整体产值将季增超过 2 成，原厂营收与获利能力将持续成长。

DRAM 第 1 季因疫情导致出货受阻，价涨量缩，三大 DRAM 原厂第 1 季营收均走跌，三星衰退约 3%、SK 海力士约 4%，美光则约 11%，三大原厂获利则受惠第 1 季 DRAM 均价上扬，维持成长。

市占率方面，三星约 44.1%、SK 海力士为 29.3%，美光则为 20.8%。由于产能规划大致相同，TrendForce 预期第 2 季市占不会有太大变化。

观察各厂产能与技术能力，三星持续将部份产能 (Line13) 由 DRAM 转向影像感测器 (CMOS)，不过平泽二厂预计下半年投入 DRAM 生产，弥补 Line13 投片下滑，同时提高 1Z 制程比重，考量疫情对需求面的冲击，三星审慎规划产出，今年产能增加幅度不高。

SK 海力士持续将 M10 厂 DRAM 投片转向影像感测器，增加 M14 产出，并将于下半年小幅提高无锡厂的产能，但全年产能增幅不高，主要由 1Y 奈米制程比重提升贡献；美光投片与产能与去年没有太大改变，今年资本支出将着重 1Z 制程量产与产出提升，目前正值 OEM 积极验证阶段，很快就能导入实际量产。

整体而言，三大原厂先进制程开发与导入虽有递延，但大致顺利，没有重大品质异常情况发生。今年整体 DRAM 产能没有明显成长，资本支出也持续下降，供给位元成长主要来自于 1Y 与 1Z 奈米等先进制程的转进，并非实质投片增加。

从台厂表现来看，南亚科 (2408-TW) 第 1 季出货量双位数成长，营收季增近 10%，营业利益率则由前季的 11% 提升至 12.7%，第 2 季在均价上扬下，获利能力将持续提升；华邦电 (2344-TW)2 第 1 季量价持平，DRAM 营收变化幅度不大，成长力道以 NAND Flash 较明显；力晶第 1 季仍以影像感测器需求较强劲，排挤 DRAM 产能，营收小幅下滑 3%。

尽管营收表现分歧，但台厂今年重心都在下一代制程研发，如南亚科宣布不使用美光授权后，专注于 1A/1B 奈米，华邦电持续提升 25 奈米新制程良率和产品多样性，力晶则专攻 25 奈米 DDR4 产品稳定度与相容性。