三安光电拟160亿投资化合物半导体，2年内投产

三安光电6月16日晚间发布公告称，公司拟加码160亿元在长沙投资半导体产业化项目。
三安光电称，公司决定在长沙高新技术产业开发区管理委员会园区成立子公司投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链，投资总额160亿元。
根据进度，三安光电表示，公司在用地各项手续和相关条件齐备后24个月内完成一期项目建设并实现投产，48个月内完成二期项目建设和固定资产投资并实现投产，72个月内实现达产。
三安光电与长沙高新技术产业开发区管理委员会于6月15日签署《项目投资建设合同》，三安光电表示，主要研发、生产及销售6吋SIC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SIC二极管外延、SiCMOSFET外延、SIC二极管外延芯片、SiCMOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET，不过最终以甲方认可的乙方项目实施主体可研报告为准。
三安光电主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料、微波通讯集成电路与功率器件、光通讯元器件等的研发、生产与销售，公司致力于化合物半导体集成电路业务的发展，努力打造具有国际竞争力的半导体厂商。
三安光电称，对于本次项目建设，第三代半导体产业园项目有着广阔的市场需求，现处于发展阶段。本次投资项目符合国家产业政策规划，符合公司产业发展方向和发展战略，有利于提升公司行业地位及核心竞争力。