南亚科冲10nm

DRAM大厂南亚科获得美系资料中心大厂伺服器用DRAM大单之后，公司决定加速10奈米高阶制程研发脚步，除扩增资本支出之外，也增加研发人力，预期第一个世代的1A制程，可在下半年试产；10奈米第二世代1B，也可望提前在明年下半年试产。

据了解，南亚科的1A及1B，甚至第三世代1C，都将以切入毛利率较高的伺服器用DRAM和标准型DRAM为重心，公司将藉制程推动，达到营收、获利稳步提升的目标。