三安光电第三代半导体项目正式开工，总投资160亿元

7月20日，长沙三安光电第三代半导体项目开工活动在长沙高新区举行，项目建成达产后将形成超百亿元的产业规模，并带动上下游配套产业产值预计逾千亿元。

长沙三安第三代半导体项目总投资160亿元，总占地面积1000亩，主要建设具有自主知识产权的衬底（碳化硅）、外延、芯片及封装产业生产基地。
上个月，三安光电发布公告称，公司拟在长沙成立子公司投资建设第三代半导体产业园项目，投资总额为160亿元。
三安光电为项目实施主体，投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链，在长沙高新技术产业开发区管理委员会园区研发、生产及销售6吋SIC 导电衬底、4 吋半绝缘衬底、SIC二极管外延、SiC MOSFET外延、SIC二极管外延芯片、SiC MOSFET 芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET。
三安光电表示，公司主要从事Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的研发与应用，致力于化合物半导体集成电路业务的发展，努力打造具有国际竞争力的半导体厂商。第三代半导体产业园项目有着广阔的市场需求，现处于发展阶段。此次投资项目符合国家产业政策规划，符合公司产业发展方向和发展战略，有利于提升公司行业地位及核心竞争力。
另一方面，长沙三安第三代半导体项目作为长沙17个制造业标志性重点项目之一，将在长沙建设形成从长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装的碳化硅全产业链，必将成为推动长沙新一代半导体及集成电路产业链发展的重大动力。