力晶旗下 力积AI晶片技术突破
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2020-08-19
力晶集团旗下力积电昨(18)日宣布,成功量产逻辑与DRAM晶圆堆叠(WoW)的AI人工智慧晶片,并已交付给客户投入市场。力积电强调,这项产品是兼具高效能、高频宽、低功耗优势的新世代半导体制造技术突破,将为公司营运添助力。
力积电董事长黄崇仁表示,为凸显该公司兼具逻辑、记忆体代工技术的独特产业定位,力积电已设定逻辑电路与记忆体元件一体化的未来发展路线,并与国内DRAM设计公司爱普联手,成功根据海外客户要求,以WoW技术成功将逻辑与DRAM晶圆堆叠,并完成新一代整合晶片量产。
此外,力积电也将逻辑电路与DRAM整合到单一晶片,以AIM(AI Memory)概念问世的新产品,并已出货切入方兴未艾的AI人工智慧市场。
据了解,为强化整合逻辑、记忆体代工的独特优势,力积电与爱普等设计公司联手,导入3D WoW技术,发展逻辑晶片和DRAM垂直异质叠合制程,并共同研发下一代AI应用所需的新型DRAM架构。透过此技术突破,可把逻辑电路与DRAM之间的资料传输频宽,达到现行高频宽记忆体(HBM)五倍以上。
力积电董事长黄崇仁表示,为凸显该公司兼具逻辑、记忆体代工技术的独特产业定位,力积电已设定逻辑电路与记忆体元件一体化的未来发展路线,并与国内DRAM设计公司爱普联手,成功根据海外客户要求,以WoW技术成功将逻辑与DRAM晶圆堆叠,并完成新一代整合晶片量产。
此外,力积电也将逻辑电路与DRAM整合到单一晶片,以AIM(AI Memory)概念问世的新产品,并已出货切入方兴未艾的AI人工智慧市场。
据了解,为强化整合逻辑、记忆体代工的独特优势,力积电与爱普等设计公司联手,导入3D WoW技术,发展逻辑晶片和DRAM垂直异质叠合制程,并共同研发下一代AI应用所需的新型DRAM架构。透过此技术突破,可把逻辑电路与DRAM之间的资料传输频宽,达到现行高频宽记忆体(HBM)五倍以上。
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