美光和英特尔被告侵权，将9月底审理，猜测与3D Xpoint有关

控告英特尔和美光侵权，或涉及3D Xpoint技术
据外媒CBR报道指出，该侵权案件可能涉及3D XPoint技术，疑似怀疑基于美国发明家Stanford Ovshinsky(2012年辞世)的PMC技术进行了创新。
Ovshinsky在美国取得400项专利，海外专利则多达800项，专利涵盖平板液晶显示器、氢燃料电池、薄膜太阳能电池等相关专利。值得注意的是，1960年，Ovshinsky博士发现了一些玻璃在相变时电阻也会发生变化，而这种电阻变化是可逆的；几年后，他又有了新的发展，这些发现意味着可以通过电流或者激光来测出物质的相，也带来了存储设备开发的新思路——这就是PCM相变内存。
2018年，代表Ovshinksy遗产的信托公司（ECDLT）在密歇根州起诉美光、英特尔和其他关联方，称有权分享3D XPoint专利授权费。ECDLT还宣称，ECD拥有Ovonyx企业股票优先购买权，该公司由Ovshinsky和美光前CTO Tyler Lowrey于1998年创建，旨在将PCM（phase change memory）商业化。
目前英特尔和美光3D XPoint进展如何，该技术是否与PCM有关？
近几年，英特尔面向数据中心和消费类市场大力推广3D Xpoint技术，并推出多款傲腾SSD，比如傲腾905P、傲腾800P、傲腾P4800X等，英特尔还计划把第二代3D Xpoint用在代号为Barlow Pass的第二代傲腾持久内存和代号为Alder Stream的新傲腾数据中心SSD上，预计会在2020年随Cooper Lake-SP和Ice Lake-SP平台一同发布。    美光也在2019年发布了第一款基于3D XPoint技术的—X100 NVMe SSD，以每秒250万次读写速度，以及超过9GB/s的频宽，当时宣称是全球最快SSD，针对高端数据中心打造，拥有超强性能和低延迟表现。
3D XPoint技术是英特尔与美光在2015年共同发布，与普通的NAND Flash相比，速度快上1000倍。在发布3D Xpoint技术之初，英特尔曾这样描述3D XPoint的存储方式：3D XPoint通过"整个细胞（Cell）"性质的改变，就像一个可编程的位一样，且只需要很少的写操作，这与NAND Flash从物理学角度是完全不同的，无需像NAND Flash一样进行大块的擦除之后进行改写。
3D XPoint从实现效果来说，这非常像是PCM（相变存储），这一技术利用的是两相间的阻抗差。从特性上来说，也非常像是PCM，PCM具有随机存储速度快的特点。但是，英特尔也强调称，3D XPoint既不是NAND Flash也不是PCM。
尽管英特尔和美光一再声明说3D Xpoint不是相变存储，但有中国科学家声称，3D XPoint本质上就是相变存储器（PCM）。至于真相到底如何，有待9月份的最终判决结果。