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DRAM厂扩产保守 明年位元新增产出7成来自制程微缩

* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2020-08-24
DRAM产业进入寡占局面,原厂扩产动作更加谨慎,今年3大DRAM原厂皆审慎扩增产能,加上疫情对需求端带来的低潮尚未解除,预估明年位元成长仍有近7成来自1Ynm与1Znm的先进制程转换;而厂房扩增的产能增加仅占3成。
2020年初在伺服器DRAM价格强势领涨的带动下,各类DRAM价格正式翻扬;即便新冠肺炎疫情在第2季开始蔓延全球,但采购端因担忧零组件断货,并未减少原本预估的订单量,使DRAM供应商出货量优于预期,进一步激励整体DRAM价格涨幅扩大,推升第2季DRAM总产值至171亿美元,季成长15.4%。
经过连续2季的拉货后,伺服器业者库存水位已逐渐攀升,在整体经济仍处低潮的情况下,以企业级伺服器(Enterprise Server)为首的采购动能开始转趋保守。在DRAM产业由Server领涨领跌的趋势下,恐带动其他产品价格一并反转向下,因此预估第3季将出现量平价跌走势,DRAM原厂获利能力将转弱。
观察三星(Samsung)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)3大DRAM原厂营收表现,第2季走势一致且无明显变动,在DRAM量价齐扬带动下,营收成长皆突破双位数;而各家市占除3大巨头以外,其他厂商占比合计仅5%。然第3季由于适逢美光财务年底,推测其会较积极降价求量,可能使市占小幅上扬,但3大厂整体格局仍不受影响。
第2季DRAM整体均价大致上升约10%,因此各家获利皆呈现上扬走势。以三星而言,营业利益率自第1季32%攀升至41%,突破4成水准;SK海力士因Server DRAM比重高,加上价格涨幅剧烈,营业利益率达35%。美光本次财报区间(3月至5月)的报价涨幅小于韩系厂,因此营业利益率受益有限,仅由上季的16%上升至21%。
  • 从技术发展来看,第2季三星持续将Line 13部份产能由DRAM转向CIS(影像感测器),并准备启动平泽二厂P2L,预计下半年投入DRAM生产,在弥补Line 13投片下滑的同时,也开始拉高1Znm制程比重。
  • SK海力士M10厂DRAM投片持续转向CIS,同时增加M14产出;下半年将小幅提高无锡厂的产能,全年DRAM位元增加主要来自于1Ynm制程比重提升。
  • 美光今年仍着重在1Znm制程的量产与产出比重的拉升,当前适逢量产初期且部分OEM处于产品验证阶段,因此1Znm占比不高。预计随着验证通过,1Znm将成为该公司主推制程,而总产能方面则与去年大致相同。
  • 观察台厂方面表现,南亚科出货量与均价皆呈现约7%涨幅,使其第2季营收较前季增加15%;而受惠于报价走升其营业利益率来到19.6%。华邦受到长约效应影响,价格成长幅度仅0.5%,相较DRAM营收,Flash成长动能较显著。
  • 力积电(Powerchip)营收仅计自家生产之标准型DRAM产品,第2季因PMIC(电源管理IC)、Driver IC等逻辑产品需求畅旺,导致DRAM产能限缩,因此DRAM营收仅约略持平。
  • 三家台厂在第2季皆专注在下一代制程的研发,如南亚科积极专研1A/1Bnm,期望尽快导入试产;华邦持续提升新制程25nm的良率,而产能扩建倾向以Flash为主;力积电则在25nm DDR4产品改良的同时,以代工逻辑产品为公司之营运重心。