美光16 Gb DDR4 EUV评估可望提前
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2020-09-28
继三星电子8 月 30 日 宣布，其位于韩国平泽的第二条生产线已开始量产业界首款采用极紫外光（EUV）技术的 16Gb LPDDR5 移动 DRAM。新的 16Gb LPDDR5 基于三星第三代 10nm 级 (1z)工艺打造，拥有最高的移动内存性能和最大的容量。
Hynix和美光也在积极准备中，其中美光台中A3厂扩充的无尘室是能够采用EUV设备，而公司也会持续进行评估中。
由于EUV世代投资成本高昂，因此目前仅有三星、SK海力士(SK Hynix)与美光(Micron)3厂有实力跨入。三星动作最快，现在同时也传出海力士内部组成EUV任务小组，全力推动EUV制程DRAM早日量产，且SK集团(SK Group)也发挥材料方面专长与优势，积极投资EUV领域的相关材料开发。近期盛传在中美贸易战推力下，美光也急起直追，已在日本与台湾厂导入1z奈米，且投入1α、1β奈米的研发，且EUV设备已送样，最重要的是已选定台中为EUV制程技术生产据点。
对于业界传闻，美光表示不予评论，不过美光先前于2020财年第1季度财报公布时指出，目前台中A3厂扩充的无尘室是能够采用EUV设备，而公司也会持续进行评估中。
只是相较于2年前美光曾表示在1α及1β制程之前不会采用EUV设备，2020年则松口表示将重新进行评估，此举引发市场推测，三星率先导入EUV制程以及DRAM产业竞争，将可能促使美光考虑提早导入EUV制程时间。
台湾地区目前已成为美光最大的全球DRAM制造重镇，尽管日本广岛厂生产1z奈米的低功率记忆体产品，但台中厂则负责量产高速运算的16 Gb DDR4记忆体，应用于桌上型电脑、NB以及资料中心等领域。
而台中A3厂将扩大增加无尘室设备空间，其目的就是为了配合后续的先进技术升级与设备，随着无尘室扩建于下半年完工，业界认为，EUV设备将可望进入进厂评估阶段。
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