美光恐对合肥长鑫提告　台系记忆体模组厂影响有限

中芯国际遭美方限制出口禁令成真，美国下一个目标将锁定中国指标性大厂。记忆体业界证实，美国DRAM大厂美光科技也打算对中国当地DRAM大厂合肥长鑫存储发动专利侵权战，最近将会采取行动，至于台湾记忆体模组厂与长鑫存储合作的业务往来较少，即使有也使当地内需市场为主，在风声鹤唳之下，将以维持与美光之间的合作关系为优先。
合肥长鑫专利的合法性已被美光锁定，不少记忆体模组业者陆续接获来自美光关切的专利疑虑警告，接下来美光应该会进一步对长鑫存储采取行动。去年12月时，就原DRAM(动态随机存取存储晶片)制造商奇梦达开发的 DRAM 专利，合肥长鑫与 Quarterhill旗下的 Wi-LAN全资子公司 Polaris Innovations Limited 达成专利授权合约和专利采购协定。
合肥长鑫今年2月宣布研发出DDR4及LPDDR4X记忆体，采用19奈米制程，这是中国大陆第1颗自制DRAM晶片，主攻PC市场。今年5月，合肥长鑫制造的DRAM已经在中国市场推出，而合肥长鑫的技术与专利来源为德国英飞凌旗下的奇梦达。
合肥长鑫开发19奈米DRAM制程从2020年上半逐步量产，其记忆体模组已送交终端客户进行产品认证，并规划于2020年底将产能规模从初期的2万片、4万片增加至7万~8万片。
合肥长鑫在技术发展仍远落后于全球前3大，台系记忆体模组厂与长鑫存储的业务往来并不多，主要是考量其长鑫存储的产品稳定性与良率问题，多以当地中低阶应用市场为主，在长鑫存储被列为下一波制裁对象的消息甚嚣尘上，台湾模组厂商也必须要选边站。
从另一个角度来看，先前遭到美光控诉侵权的福建晋华一案已经停摆，合肥长鑫未来的发展之路也恐将受阻，锁定同样应用领域的台系DRAM大厂南亚科是否有机会享有转单效应，也值得关注。