科技战火 延烧存储器

据台湾媒体报道，继先前美国对于中国第一大积体电路设计业者─华为旗下的海思、第一大晶圆代工业者─中芯国际陆续出重手之后，美国总统大选前两国经贸关系仍是属于紧俏的情况，预计科技战烟硝味有可能扩散至中国记忆体，而此举势必又将牵动中国大陆半导体国产化发展的进程，尤其此时正是中国记忆体从无到有的关键时刻。
毕竟中国大陆在无技术授权来源、记忆体人才短缺之下，短期内要进入记忆体国产化的大幅量产，并产生出口的动作，恐有疑虑，美国对福建晋华实施禁令事件，显示美国企业针对防止非市场行为对产业形成破坏较为介意，特别是在美中两强相争持续进行的同时，作为高度全球化的半导体产业，中国大陆在发展自有记忆体产业，也挑动美国的敏感神经，未来市场势必关注美国是否对长江存储、合肥长鑫出手。
不过由于中国大陆现阶段实质在记忆体的产出极为有限，因此美国即便对于长江存储、合肥长鑫祭出管制措施，对于韩、美、日、台的转单效应较为有限，反而限缩中国记忆体跨越式的发展可能性较大。
至于回归至全球记忆体市况的变化方面，虽然2020年上半年因新冠病毒肺炎疫情所衍生的科技商机，相对使得NB、伺服器、资料中心等对于DRAM需求有所提升，加上电竞产品、游戏机需求也因宅经济发威而显强劲，使得DRAM出货量呈现上扬，相对带动一波DRAM的涨势。
但下半年则因华为拉货效应于9月中旬过后结束，加上伺服器、资料中心等应用市场的订单已多于上半年进行备货，导致DRAM价格显得较为疲弱，估计2020年DRAM价格全年跌幅恐仍有1成以上，但整体而言，相较于2019年全年跌幅达4成以上，整体价格走势下跌幅度已显收敛，而DRAM景气整体的恢复则相对寄望于2021年。
显然不少被递延的3C需求重新启动，加上晶片大厂推出新平台、及居家办公需求续强，2021年上半年记忆体景气可望正式落底并出现反弹，预计全球DRAM价格将有机会逐季往上。