南亚科盖10奈米DRAM厂 未来导入EUV

稳定货源新力量
这是南亚科在四年前宣布自主研发十奈米制程技术，并采用美光二十奈米技术建泰山三厂后，决定以自有资金，投入兴建全新十二吋晶圆厂，并切入十奈米第二阶段及第三阶段自主技术，生产下世代及低功耗DRAM，缩短与三星等三大DRAM厂的技术落差，成为三星、SK海力士及美光外，另一股稳定DRAM货源的力量。
南亚科这项投资将是新北市最大的投资案，昨天除由南亚科董事长吴嘉昭宣布投资内容外，王文渊亲自到场。
王文渊强调，南亚科已在现有厂房进行自主研发十奈米第一阶段技术试产，并投下约六百亿元进行制程升级；另外南亚电路也将斥资八十亿元扩充，合计三千六百八十亿元。
年产值估逾千亿
他进一步说明，此座先进晶圆厂将以七年分三阶段投资，计划二○二一年底动工，二○二三年底完工开始试产，并于二○二四年开始第一阶段量产，月产一点五万片，产出颗粒数将较现有产能增加；新厂预计可提供二千个工作机会，创造上中下游千亿元以上的产值，并间接创造产业链数千个就业机会。
南亚科总经理李培锳在会后进一步表示，受惠5G、AI人工智慧，甚至工业应用包括自驾车、物联网等应用驱动，DRAM需求每年稳定成长百分之十五到百分之二十 ，供应商均理性扩产，以迎合市场需求。
他强调，目前南亚科二座十二吋厂约七万片产能，既有空间不足，为公司长远永续发展，须在制程技术、产品技术、产能规画持续推进，因此决定建新厂，量产第一阶段将先导入自主研发十奈米级技术的第二世代，同时也规画 未来可导入EUV设备的空间，提高南亚科制程推进的弹性。