南亚科10nm DDR5下半年试产 豪掷3000亿元建12吋厂

2021年将是供给稳定，需求大成长的一年！南亚科预估8Gb DDR4将送样小量产，DDR5下半年试产，10奈米制程产品将进入试产。
南亚科技全球记忆体市占率约3%，规模是三星的16分之1，南亚科的求生策略是专注利基型记忆体，并掌握自己研发技术，董事长吴嘉昭日前更宣布豪掷3,000亿元兴建新的12吋晶圆厂，由于华邦电跟力积电也都有12吋厂扩厂计划，记忆体未来发展受到瞩目。
南亚科看好景气投资3000亿元建12吋厂。南亚科宣布将在新北市泰山南林科学园区兴建一座12吋晶圆厂，采用10奈米制程技术生产DRAM，月产能约4.5万片，预计总投资金额高达3,000亿元。南亚科估计，投资案将可提供2,000个工作机会，今年底动工，2023年底完工，2024年开始第一阶段量产。
南亚科指出，在积极布局自主技术开发下，第一代10奈米级制程技术（1A）已完成试产线装机，并配合第一颗8Gb DDR4设计完成，进入试产阶段。第二代10奈米级制程技术（1B）开发功能性验证晶片已完成试制。
产品策略上，新品8Gb DDR4预计于今年下半年开始客户送样认证及小量生产；第二颗为下世代DDR5正在设计开发，预计今年下半年开始试产。今年也将同步加速1B制程技术及产品的开发时程，预计今年第三季开始试产首颗产品。
南亚科技认购再生能源。在成熟产品20奈米产品组合上则持续优化，除了增加DDR4最高规格3200Mbps在伺服器及PC OEM客户的认证，提升销售量外，也将加速20奈米低功率产品推广。LPDDR4X 4267Mbps最高规格产品目标市场包括携带型产品、汽车及工业等应用。
南亚科今年资本支出上限156亿元，相比去年缩减至107亿元，今年支出大增逼近5成。