对手猛攻、动摇三星地位！韩媒：DRAM差距缩至0.5年

南韩三星电子在记忆体市场的龙头地位开始出现动摇！据韩媒指出，因竞争对手采取攻击性的投资、缩小与三星之间的技术差距，其中在DRAM上的差距已缩小至约0.5年。南韩媒体朝鲜日报日文版9日报导，长年来以极大差距领先对手、稳坐记忆体市场龙头位置的三星地位开始一点一点地出现动摇，主因包含副会长李在镕在内的三星核心经营团队数年来面临调查、审判、入狱，而竞争对手在这段期间采取攻击性的投资，缩小了与三星之间的差距。
报导指出，三星从1993年跃居全球DRAM龙头位置之后、就不曾一度退居过第2位，不过最近几年来三星市占持续下滑，2016年时还高达46.6%、去年则萎缩至41.7%，且在技术面也发生遭对手逆转的情况。SK Hynix在去年10月开卖速度较原先产品增至2倍以上的“DDR5 DRAM”、抢先三星一步拿到“全球首款”的头衔。据半导体业界关系人士指出，“过去三星与对手之间还有1年左右的技术差距，不过据分析、目前该差距已缩小至0.5年以内(6个月以内)”。
在NAND型快闪记忆体(Flash Memory)市场的情况也一样。去年11月美光(Mircon)宣布开始量产堆叠176层的3D NAND Flash、较三星1年前开卖的最先进产品(堆叠128层)高出约50层(NAND Flash堆叠的层数越高、容量和效率就越高)。据悉三星内部对于技术遭美光逆转一事承受不小的打击。加上SK Hynix等对手祭出攻击性投资，让三星NAND Flash市占率持续下滑，2018年时还有40几%、去年7-9月期间滑落至33.4%。
据报导，海外竞争对手的并购(M&A)措施也将对三星造成冲击。美光、Western Digital(WD)传出有意收购全球第2大厂铠侠(Kioxia)，而只要其中一家能成功并购铠侠的话、恐撼动三星自2002年以来就持续蝉联的NAND Flash龙头位置。
日经新闻7日报导，关于和铠侠之间的关系，WD执行长(CEO)David Goeckeler接受专访时表示，“两家(WD和铠侠)的NAND Flash市占率加起来将略为超越三星、成为全球首位”。
Goeckeler表示，“在先进技术领域上、双方(WD和铠侠)的合资事业是全球最成功的案例之一。半导体是规模事业，藉由和铠侠携手进行研发/生产，将能维持全球最高技术及市场主导权”。