南亚科：下半年试产DDR5

记忆体厂南亚科原订于5月27日举行股东常会，受疫情影响而延期。南亚科看好DRAM产业前景，宣布将砸下3000亿元再盖全新12吋厂，首创双层无尘室设计，预计2024年量产。展望后市，南亚科总经理李培锳预估，DRAM将供不应求到今年底，价格将逐渐回升，接下来将投入更多的研发资源，加速开发10 奈米级制程技术与新世代DDR5 的产品，预计DDR5今年下半年开始试产。
南亚科在致股东营业报告书中提到，今年记忆体售价止跌回升，整体产业可望走出谷底并迈向成长，今年将投入更多的研发资源，加速开发10奈米级制程技术与新世代 DDR5 的产品，提升公司竞争力；同时规划新厂扩建，未来将以符合市场需求为目标，逐步增加产出。
南亚科去年积极布局自主技术开发，第一代 10 奈米级制程技术(1A)已完成试产线装机，并配合第1颗 8Gb DDR4 设计完成，进入试产阶段，今年下半年开始客户送样认证及小量生产；第2颗为下世代DDR5正在设计开发，预计今年下半年开始试产。
另外，南亚科为因应1A 制程技术的量产、新厂房兴建及一般部门资本支出，全年的资本支出上限预计为156 亿元。
南亚科也表示，第二代10奈米级制程技术(1B)开发功能性验证晶片已完成试制，预计今年第3季开始试产首颗产品。
南亚科今年仍将持续优化 20 奈米产品组合，除了增加 DDR4 最高规格 3200Mbps 在伺服器及PC OEM客户的认证，成功导入美国、中国大陆及欧洲资料中心客户，伺服器记忆体位元出货量年成长超过 150%，约占去年全年总出货量的5%。
南亚科也将加速 20 奈米低功率产品推广，LPDDR4X 4267Mbps 最高规格产品正在认证中，未来目标市场包括携带型产品、汽车及工业等应用，可以有效提高产品价值及销售弹性。
为了满足市场要求及公司长远的发展，南亚科已规划在目前南林科技园区中兴建新的厂房以持续导入先进制程及产品，并扩充产能，新厂预计年底动土，目标于2023年底前完工，2024年开始装机量产，产能规模将视市场需求分阶段设置。
从DRAM产业前景来看，南亚科表示，DRAM是所有电子产品智慧化的关键元件，智慧型手机、伺服器/数据中心是目前最大应用区块；未来，随着5G及AI的发展，及各种消费型智慧电子产品的发展，将持续带动DRAM 应用的多元化，以及DRAM使用量增加。
在手机方面，5G手机比重逐年升高，提升搭载量，今年销售量将倍增。再者，全球5G基站所需的网路通讯及边缘运算，也提升DRAM使用量。伺服器/资料中心更需提高 DRAM 装载，以符合 5G 及 AI 高频宽、低延迟、大量资料的需求。
同时，笔电、平板电脑、电视、SSD 的需求持续强劲，以满足居家工作、远距学习、智慧家庭的发展。此外，各种智慧产品如自驾车、游戏机、智慧摄像、智慧穿戴、智慧机器人等等持续的多元化应用。
以DRAM 供给面观察，南亚科表示，今年供给成长稳定，维持供需平衡性：根据3大DRAM 供应商的公开资讯中所提供有关产能与资本支出规划，过去2年各家审慎增加DRAM相关的产出，资本支出保守，所以今年供给成长主要仰赖制程转换，预计位元供给成长幅度有限。
此外，根据研调机构的分析，中国大陆厂商后续的量产规模仍不致影响整体市场供需平衡。综合上述供需的结论，今年供应商位元供给的成长幅度预估有限，而5G智慧型手机与资料中心的发展可望使得位元需求有较高的成长幅度，因此整体DRAM产业可望有健康的发展。