美光A3厂启用1αnm量产渐成主力

美光位于中科A3厂将于2021年投入营运，美光将延续以提升DRAM先进制程作为营运发展方向，看好DRAM需求热度延续至2022年。2021年存储器市场明显转热，尤其以DRAM供应吃紧带动价格走扬，国际DRAM大厂相继预告2021年DRAM全年缺货态势抵定，但各家扩产进度维持谨慎。
存储器大厂美光从2021年初已进入1α奈米制程节点，且中科A3厂也将正式启用，但依然维持不增加晶圆产能的政策。美光集团执行长Sanjay Mehrotra看好DRAM产业供给紧缩将延续至2021年下半，且市况需求热度将拉至2022年。
美光从2020年底从1Z奈米展开升级，并在台湾厂区首度导入1α奈米制程，2021年初已顺利展开量产，根据规划，1α奈米制程将可望成为美光2022财年的主要生力军，在成熟良率下，存储器位元产出将比1Z奈米提高达40%、功耗与效能也获得显著提升。
美光位于中科的A3新厂从2020下半年完成了无尘室建设，尽管疫情带来变数，但2021上半仍完成整体建设，美光指出，随着A3厂启用，将持续在台湾地区投资制造与研发，除了导入DRAM最先进1α制程技术，也会不断扩充人力，包括工程师以及各领域的专业人才，目前美光在台湾地区的员工人数约达到9,000人，近3年来每年持续招募约500人。
据业界指出，近年来国际3大DRAM厂维持谨慎扩充产出的态度十分明显，由于上游晶圆产出增加有限，下游应用需求大量成长，推升了DRAM产业供不应求的市况荣景。
尽管美光A3厂区占地庞大，但由于DRAM先进制程技术越来越复杂，美光计划于2021下半年将全面推广DDR5产品，并将从2022下半年将1α奈米技术导入量产DDR5产品，在制造流程与生产工序将更趋于繁复，因此尽管A3厂投入营运，但美光DRAM的实质晶圆产能并未增加，而持续将产能转换至更先进的制程节点也是美光的长期策略。
相较于韩系DRAM大厂的三星电子(Samsung Electronics)及SK海力士(SK Hynix)先后决定将采极紫外光(EUV)助力DRAM先进制程量产，但美光仍抱持保留态度，并将DRAM制程推进采取每年推进1个世代为目标，在2021年1α奈米进入量产后，1β也即将启动跟上脚步。
据业界透露，美光内部对DRAM先进制程进度将一路规划至2023~2024年，未来可望陆续导致至1c或1d制程。
虽然美光在短期内并无采用EUV技术的打算，但相关供应链指出，A3厂的内部设计规划早已准备了EUV制程的空间，甚至整体厂房的楼高不仅全面调高，自动运输系统也配合调整设计，但现阶段基于成本因素，美光将藉由目前浸润式设备及配合其他制程来提升量产效率。
Sanjay Mehrotra表示，台湾美光的晶圆厂已具备导入EUV制程的能力与条件，只是美光内部仍在研究与评估阶段，视生产成本、效率、投资回报率等条件才会做出决定，将等到水到渠成之际就会考虑导入。
美光台湾台中后里A3厂原订6月3日举行开幕典礼，Sanjay Mehrotra原计划透过商务旅游泡泡来台亲自主持，但受到疫情加剧冲击，来台行程及开幕典礼将延期举行，并将出席 COMPUTEX 2021 Forum 开幕主题演讲，以“资料经济的创新引领数据新生活”畅谈资料经济新生活为存储器和储存带来的成长机会。