震撼南韩业界！美光记忆体制造技术领先三星与 SK 海力士

就在美光执行长 Sanjay Mehrotra 于 6 月 2 日在 Computex 2021 论坛的主题演讲中宣布，将正式量产 1α 制程的 LPDDR4x DRAM，并且目前正在向 AMD 和 Acer 供应 1α 制程的 DRAM 之外，另外还宣布了开始量产 176 层堆叠 NAND Flash 快闪记忆体之后，其消息震撼了目前在 DRAM 市占率上领先全球的南韩业界。
根据南韩媒体 《KoreaBusiness》 的报导，美光的 1α 制程 DRAM 相当于南韩三星和 SK 海力士的 14 奈米制程 DRAM。而目前美光是世界上第一家量产该款 14 奈米制程 DRAM 的公司公司。再加上 2020 年 11 月美光宣布开始量产 176 层堆叠 NAND Flash 快闪记忆体之后，这代表着美光不论是在 DRAM，还是在 NAND Flash 快闪记忆体的生产技术上都超越了南韩的两家公司。
报导指出，南韩的一位市场人士表示，由于核心制程技术的不同，很难直接将美光的技术与南韩的三星和 SK 海力士的技术相比较。不过，令人惊讶的是，美光在没有极紫外线曝光设备 (EUV) 的辅助下，缩小了与两家南韩记忆体大厂的生产制造技术差距。
报导强调，现阶段三星和 SK 海力士尚未开始量产 176 层堆叠的 NAND Flash 快闪记忆体。其中，SK 海力士虽然于 2020 年 12 月宣布完成 176 层堆叠的 NAND Flash 快闪记忆体的开发。不过，到目前为止还没有达到量产的阶段。虽然，两家南韩记忆体企业都表示，2021 年下半年可以量产 176 层堆叠的 NAND Flash 快闪记忆体。但市场人士认为，量产的时间实际上会到 2021 年底。另外，也预计这两家南韩记忆体厂商的量产 14 奈米制程 DRAM 的时间也会是自 2021 年底开始。
报导进一步强调，南韩的半导体产业非常关注美光在不使用 EUV 曝光设备的情况下成功开发 出14 奈米制程 DRAM 的消息，因为这是半导体制程微缩的关键。目前，三星和 SK 海力士正在将 EUV 技术应用于 10 奈米等级，但技术较为入门的 DRAM 生产。

而相较于南韩的两家厂商，目前是美光台湾厂，最新技术是在不使用 EUV 曝光设备，而是采用上一代的深紫外 (DUV) 曝光设备就可以来生产记忆体。市场人士也强调，因为由荷兰商 ASML 所生产的 EUV 曝光设备每部造价高达 1.5 亿美元，用其生产的记忆体将会有比较高的成本。但是美光采用上一代的 DUV 曝光设备就能生产相关的记忆体产品，在产品成本的竞争力上将更具优势。
不过，仍有南韩专家调，美光的 1α 制程的 DRAM 和 176 层堆叠的 NAND Flash 快闪记忆体尚未经过与三星和 SK 海力士的产品进行比较，是否能有相同的性能。因此，未来美光的产品将能对两家南韩厂商有多大的威胁，有待后续观察。