晶豪科及钰创为客户定制化利基型DRAM

利基型DRAM价格第四季受到生产链长短料影响而走弱，所幸韩系DRAM大厂加快将旧制程产能移转生产CMOS影像感测器（CIS），预期明年第一季价格可望止跌回稳。
在利基型DRAM位元供给在明年持续紧缩的预期下，系统厂开始大量采用客制化利基型DRAM设计以确保供货，晶豪科及钰创受惠于系统大厂积极抢货，接单已满到明年下半年。
为了因应客制化DRAM的明年强劲出货动能，晶豪科及钰创已与力积电签订产能保障长约，明年已预订产能与今年相较增加30～50％幅度。法人表示，韩系大厂利基型DRAM产出持续减少，价格将在明年第二季重拾涨势，系统厂改采客制化设计，对已掌握订单的晶豪科及钰创而言，明年营运表现会比今年好。
以往DRAM设计都是根据JEDEC标准，但利基型DRAM主要应用的机上盒、智慧家电、行动路由器等消费性电子产品，以及包括5G基建、智慧电表、智慧水表、储存设备等物联网装置，因为产品生命周期较长，加上近年来核心微控制器（MCU）缺货，主要仍采用2Gb以下低容量DDR3。
如今系统大厂面临利基型DRAM供给逐年减少压力，且需符合国际节能减碳趋势，因此开始采用客制化的低功耗或低脚数利基型DRAM，以取代传统x16或x32的JEDEC规格DRAM。但对DRAM厂而言，已经不符合标准化大量生产以降低单位制造成本的营运模式，所以韩系业者将旧制程移转生产标准型CIS元件，释出的市场商机就成为晶豪科、钰创等提供客制化设计服务业者的囊中物。
钰创近年转向专精型缓冲DRAM领域，推出减少接脚数RPC DRAM已获得许多国际大厂青睐及采用，打进5G基建、云端储存等新兴应用供应链。晶豪科DRAM产品线在经由客制化加值后改以SoC Memory型式推出，在机上盒、行动路由器、储存装置等市场持续获得大厂订单。
对晶豪科及钰创而言，客制化利基型DRAM的订单多属二到三年以上长单，且客户也较愿意以较高价格采购，第三季已与力积电签订晶圆代工长约确保产能，明年产出可望较今年增加30～50％。而随着系统大厂近期开始针对明年需求扩大下单抢货，晶豪科及钰创接单已满到明年下半年，出货价格也比JEDEC规格利基型DRAM高出不少。
晶豪科10月合并营收19.65亿元，较去年同期成长28.8％，累计前十个月合并营收199.55亿元，较去年同期成长60.9％。钰创10月合并营收6.91亿元，较去年同期成长128.3％，累计前十个月营收48.10亿元，较去年同期成长64.6％。法人看好晶豪科及钰创明年将可逐季成长。