旺宏吴敏求：预期3D NAND Flash将取代DRAM成为市场主流

记忆体厂旺宏董事长吴敏求今天表示，记忆体需求将持续扩大，市场将继续成长，预期3D NAND Flash(储存型快闪记忆体)将取代DRAM成为市场主流，也认为创新会持续扩大NOR Flash的应用。
吴敏求表示，包括人工智慧(AI)、边缘运算、5G及汽车电子将带动大数据洪流，对记忆体需求增多。目前记忆体市场以动态随机存取记忆体(DRAM)为大宗，不过3D NAND Flash拥有最高密度及最低制造成本，预期未来可能成为记忆体市场新主流。
吴敏求指出，大数据与人工智慧对于使用记忆体的需求与规格，改变了记忆体既有的角色。记忆体将由以往在幕后担任资料储存的角色，走向幕前成为协助运算，最终实现储存及运算一体的表现。
吴敏求表示，先进半导体制程技术，让2D储存型快闪记忆体及编码型快闪记忆体(NOR Flash)跨越无法微缩的障碍，进入3D记忆体，促使容量持续增加，带动NAND Flash与NOR Flash成长。
旺宏董事长吴敏求预期3D NAND Flash(储存型快闪记忆体)将取代DRAM成为市场主流；NOR Flash方面，吴敏求表示，NOR Flash需求不会萎缩，创新会持续扩大NOR Flash的应用量。