美光决定加速启动EUV制程升级行动

美光在日本政府拉拢下，宣布以近70亿美元在广岛扩建新12吋厂，但据调查，美光最近又启动加码投资中国台湾，尤其去年11月26日宣布与联电全球专利侵权撤案后，隔月即启动在桃园厂的改造计划，决定将全球首座采用极紫外光（EUV）微影设备生产最新一代DRAM的生产基地，落脚在桃园厂。

事实上，当前最新的内存生产技术并是不使用EUV 光刻设备，而是采用上一代深紫外(DUV) 光刻设备来生产内存。 而这对于目前领先全球市场占有率的韩国三星和SK 海力士两家内存大厂商来说，非常关注美光是否可以不使用EUV 光刻设备来成功开发出10 纳米级的DRAM。 因为ASML 的EUV 光刻设备每部造价高达1.5 亿美元，高昂的设备价格使得生产的内存会有较高成本。 但美光采用DUV 光刻设备就能生产同等级内存产品，产品成本相对便宜，也较竞争力将更具优势。 而根据美光的原来计划，EUV 光刻机设备预计要到2024 年才会投入生产线，首发将会用于1-Gama 的10 纳米级制程内存上，而后面还会进一步扩展到更下一代的1- Delta 的10 纳米级内存生产中。