传三星1b(12～13纳米)DRAM开发遇阻

据韩媒报导，负责三星半导体初期开发的半导体研究所最近中断了1b DRAM研发。传计划相关负责人日前向研究人员发送电子邮件，告知放弃1b研究，间接承认研发失败，但强调之后会就研究方向进行讨论。
2019年三星成功挺进15nm(1z)DRAM，但直到2021年，才成功量产14nm(1a)DRAM，仅1nm之差就花了2年。三星在2021年下半年成立1b DRAM任务小组(TF)，负责下一代12～13nm 1b DRAM研发，但最终无法突破纳米技术高墙。
一直以来，三星都是强调「超格差」战略，即以领先1～2年的技术与低廉生产成本技压对手。原本三星打算借成功开发1b DRAM，拉大与SK海力士、美光的差距。目前DRAM排名前三大厂商为三星、SK海力士及美光，三家厂商均在2021年宣布1a DRAM量产，业界正高度关注，谁能率先量产1b DRAM，主导市场技术发展。