三星南韩平泽 P3 晶圆厂 5 月装机，大量使用 EUV 生产

南韩媒体《The ELEC》报导，三星 2020 年开始在平泽市兴建 P3 晶圆厂，5 月开始安装设备持续到 7 月，较计划时程提早一个月，下半年将建设完成。

三星平泽市 P3 晶圆厂占地 70 万平方公尺，将成为全球最大晶圆厂厂区，是三星 P2 晶圆厂 1.7 倍。投资也相当庞大，几年内最少投资 30 兆韩圜，最多 50 兆韩圜，相当于 240 亿至 400 亿美元。
三星平泽市 P3 晶圆厂为既生产记忆体又有逻辑晶片代工。最新生产将是 NAND Flash 快闪记忆体，之后是 DRAM，最后上线是 3 奈米制程晶圆制造与代工产线。平泽 P3 晶圆厂先生产 NAND Flash 快闪记忆体，5 月第一周设备安装将从 NAND Flash 快闪记忆体设备开始。
平泽晶圆厂将大量采用极紫外曝光设备 (EUV) 生产，NAND Flash 快闪记忆体产线使用 EUV 生产第七代 176 层堆叠 V-NAND 快闪记忆体，晶圆代工生产 3 奈米产线也需要 EUV 帮助生产。