创意、台积电、海力士　成功开发第3代高频宽记忆体

中国台湾IC设计服务厂创意宣布，与台积电及SK海力士（Hynix）合作，成功开发第3代高频宽记忆体（HBM3）平台，传输速度可达7.2Gbps。创意（3443）发布新闻稿，宣布与台积电及SK海力士的合作成果。创意副总经理徐仁泰表示，创意的HBM3控制器和实体层，是奠基于过去在CoWoS/HBM2产品上长久以来的量产经验。
徐仁泰指出，传输速度可达7.2Gbps，使得创意能随时因应客户对速度持续不断升级的要求，协助客户顺利开发中央处理器、绘图处理器、人工智慧及网路产品并快速量产。
创意表示，正在申请专利的中介层布线，支援任何角度的锯齿形布线，并可将HBM3 IP拆分至两个系统单晶片（SoC）上使用，还支援台积电的矽中介层（CoWoS-S）及有机中介层（CoWoS-R）技术。
SK海力士指出，透过这次合作，确认与创意在HBM生态系统内的合作关系，并验证先进的HBM3解决方案，巩固双方于动态随机存取记忆体（DRAM）市场的领导地位。