美光全球首款232层NAND Crucial SSD消费性产品将出货

记忆体大厂美光科技（Nasdaq: MU）宣布全球首款232层NAND已正式量产，该产品能提供从终端使用者到云端之间大部分数据密集型应用支援，美光的232层NAND目前正在新加坡晶圆厂量产，会优先以封装颗粒形式及透过美光Crucial SSD消费性产品系列向客户出货。 随着全球数据量持续攀升，储存容量和性能的提升势在必行，同时，客户端也必须减少能源消耗以满足更严格的环境永续发展要求。美光的232层NAND技术不仅具备必要的高性能储存，可以支援资料中心和汽车应用所需的先进解决方案和即时服务，也能提供行动装置、消费性电子产品和个人电脑所需的回应速度及沉浸式体验。
该技术节点达到了现今业界最快的NAND I/O速度：2.4 GB/s，将满足以数据为中心的工作负载（如人工智慧、机器学习、非结构化资料库和实时分析、云端运算等）的低延迟和高吞吐量需求，比美光176层制程节点所提供最高速的介面数据传输速度快50%。与前一代产品相比，美光232层NAND的每晶粒写入频宽提高100%，读取频宽亦增加超过75%，这些优势将进一步强化SSD和嵌入式NAND解决方案的性能和能源效率。
此外，美光232层NAND引进全球首款六平面（6-Plane）TLC生产型NAND，是所有TLC快闪记忆体中每晶粒拥有最多平面的产品，且每个平面都有独立的读取能力。I/O速度和读写延迟表现，结合美光的六平面架构的结合，将实现许多配置的最佳资料传输能力。此架构可以减少读写命令之间的冲突，进而改善系统级服务品质。
美光的232层NAND也是首款在生产中支援NV-LPDDR4的产品，此低电压介面与过去的I/O介面相比可节省每位元传输逾30%，因此，232层NAND解决方案得以为在提高性能和低功耗之间力求平衡的行动应用、资料中心、智慧边缘的部署提供理想的后援。该介面亦向下相容，支援旧款控制器和系统。
232层NAND也实现了有史以来最高的TLC密度（14.6 Gb/mm2），其单位储存密度较目前市场上的TLC竞品相比高出35%至100%。232层NAND并采用比美光前几代产品小28% 的新封装尺寸，11.5mm x 13.5mm的封装使其成为目前最小的高密度NAND，在更小的空间内实现更高的容量，也有助于大幅降低应用时所占据的主机板空间。