应用材料宣布，冷场发射技术已达成商品化并供货

半导体材料与设备供应龙头厂应用材料宣布，其“冷场发射”(cold field emission, CFE)技术已达成商品化并可供应客户。这一项突破性电子束(eBeam)成像技术可协助客户更好地检测与成像出奈米级埋藏的缺陷，以加快次世代闸极全环(Gate-All-Around, GAA)逻辑晶片、以及更高密度DRAM和3D NAND记忆体的开发和制造。 晶片制造商利用电子束技术来识别和描述那些用光学系统无法看到的小缺陷。随着晶片制造商运用EUV微影技术来突破2D逻辑和DRAM微缩的极限，并逐渐导入GAA逻辑电晶体和3D NAND记忆体等复杂的3D架构，找出表面和埋藏缺陷的工作变得越来越具挑战性。而突破性的电子束成像解析度和速度，可以协助晶片制造商加速晶片的开发，并增加电子束技术在大量生产中的使用率。
应材补充，传统“热场发射”(thermal field emission, TFE)电子束系统的工作温度超过1,500°C。物理学家们几十年来一直致力于将CFE电子束技术商品化，其原因在于较低的温度可以产生更窄的电子束并容纳更多电子，从而达成次奈米级的影像解析度和10倍的成像速度。到目前为止，由于 CFE系统内部的杂质会在电子束发射器上积累，降低电子的流动性，这种不够稳定的情况造成CFE技术尚未普及在商业应用中；而在TFE系统中，这些杂质会自动被排除。现在，应材已达成两项重大突破，使CFE电子束系统能够广泛应用到大量生产中。
应材影像与制程控制集团副总裁基思．威尔斯(Keith Wells)表示：“CFE技术商品化是电子束成像技术发展数十年来最大的进步。有了业界最高的解析度和电子密度，应材新的CFE技术，能让晶片制造商快速检测和成像他们过去从未能发现的缺陷。”
应材料推出首批基于CFE技术的两款电子束系统，其一，SEMVision G10缺陷复检系统，能让客户将最小的缺陷成像，以了解影响晶片制程开发和大量生产的相关问题，且成像速度比该公司前代最佳产品最多快了3倍。应材透露所有GAA客户均已选用SEMVision G10系统作为制程开发机台，并已创造超过4亿美元的营收，记忆体客户也将SEMVision G10系统用于开发新兴的DRAM和NAND制程节点。
第二PrimeVision 10缺陷检测系统，此系统具备奈米级解析度，能检测晶圆表面的微小缺陷；其3D检测技术，可以发现埋藏在3D GAA结构和高深宽比记忆体元件中对良率有关键性影响的缺陷。PrimeVision 10系统的高电子束密度，最多能以比TFE技术电子束检测系统快10倍的速度，产生高解析度影像。应材料已是制程控制业界的第一大电子束系统供应商，2021年的营收超过10亿美元，在电子束市场的市占率超过50%。