韩媒：三星明年将逆势扩产DRAM、增添4奈米产能

市场传出，三星电子(Samsung Electronics)明(2023)年计划扩充旗下最大半导体厂房产能，即便面临经济趋缓威胁。
路透社26日引述首尔经济日报(Seoul Economic Daily)报导，三星此举跟竞争对手为因应需求下降、晶片过剩困境而削减投资的行动大相迳庭，可望藉此扩大记忆体晶片市占，并在需求恢复时支撑其股价。
报导引述未具名产业消息人士透露，三星计划扩充南韩平泽市(Pyeongtaek)的P3厂房，新增12吋晶圆产能、生产DRAM记忆体晶片。
报导指出，三星也计划为该厂增添额外的4奈米晶片产能，会依照晶圆代工合约(根据客户设计)进行。P3已于今年开始生产最先进的NAND型快闪记忆体，是三星规模最大的晶片制造厂。
另外，根据报导，三星明年计划添购至少10台极紫外光(EUV)微影设备。
韩媒分析：三星不太可能跟进美光减产晶片
韩国时报12月26日分析，虽然美国记忆体大厂美光(Micron Technology Inc.)、SK海力士(SK Hynix)开始大举撙节成本来因应营收、毛利率下滑困境，但三星非常不可能改变晶片生产的策略。至2023年第一季为止，三星基本上仍会设法保住毛利率，预测消费者信心最快2023年第二季即可恢复。
三星某一线供应商资深高层受访时透露，三星正在设法削减晶片库存，虽然减产势必有利短期供需状况，但三星似乎不考虑大幅削减记忆体产出，因为该公司仍在跟汽车制造商等重要客户讨论要如何让库存恢复健康。