美光232层3D NAND技术加速智慧世代的来临！

不仅业界首创，更是全球唯一！记忆体暨储存龙头–美光–以232层 3D NAND全面提升从资料中心到微型设备的效能与使用体验，加速智慧世代的到来。
为打造更美好且便捷的世界、提供消费者更好的生活与工作体验，全球装置与设备业者莫不积极优化其产品服务，包括提供创新的功能服务、产品越来越小、运行速度越来越快、（储存）容量越来越大、更加节能减碳且成本更低。为助力各式应用的客户，为智慧未来尽一份力，记忆体暨储存产品业界领导者–美光科技（Micron Technology）–不断挑战极限、致力开发崭新技术与领先市场的产品，例如，2020年领先全球量产出货176层3D NAND，短短不到两年的时间，再度突破极限，于2022年底独步全球的将232层3D NAND量产出货，应用在部分美光 Crucial品牌的固态硬碟（SSD），以更高密度、更大容量、更省电且位元成本更低的储存方案加速产品创新变革。
更多层、更高密度、更快I/O速度，美光232层3D NAND技术引领新一波产品变革美光的232层3D NAND是以CuA（CMOS-under-array）架构为基础扩增容量、密度、效能以提升成本效益，具体作法是将NAND位元记忆单元阵列进行更多层堆叠，在每平方公厘的矽晶上纳入更多位元，藉此提高位元密度与降低每位元成本。透过CuA架构与高层数堆叠，美光可以在最小面积的前提下提供晶片高达1兆位元（1 terabit）的超大储存容量，因此，较前一代176层3D NAND技术的位元密度高出45%、封装尺寸缩小28%，让更多装置设备可以搭载大容量且高效能的储存方案。不仅仅提升位元密度与储存容量，美光亦大幅提升232层3D NAND的效能，例如，快闪记忆体介面（ONFI）传输速率提高到2400MT/s，较前一代技术提升50%，此外，232层3D NAND写入与读取频宽亦有所提升，相较176层3D NAND技术，写入频宽增加100%，读取频宽则增加75%以上。
为确保232层3D NAND技术在容量与效能的表现，美光从研发设计与生产制造等各个层面推出多项创新作法。例如，当主流设计仍停留在以四个平面分区处理指令与资料分流之际，美光领先市场推出六平面架构的232层3D NAND，让个别晶粒的平行处理能力提升，进而拉高了串列存取与随机存取的读、写效能，让更多读写命令可以同时发送至NAND装置、也能够减少读写命令之间的冲突，从而提升服务品质（QoS），概念就像高速公路设置多车道且可针对特定地区作调配以纾解车流壅塞、确保畅行无阻。
此外，增加3D NAND快闪记忆体层数也拉高了生产制程难度，裸晶圆必须历经数百道手续加工才能够生成晶粒或晶片，其中最大的挑战是透过创新手法确保各个堆叠层的结构一致，为实现这个目标，美光的跨部门团队成员以先进的蚀刻与成像技术创造高深宽比结构，尔后，运用高效替换闸制程提高零组件效能。
232层3D NAND赋能，终端、智慧边缘与资料中心变得更智慧且创造更佳使用体验应用了美光232层3D NAND技术后，终端、边缘端到资料中心的装置设备的表现相较过往而更加跃进了一大步。以笔记型电脑为例，由于美光232层3D NAND的封装尺寸较前几代减少28%，轻薄型笔记型电脑商再也不用为了可携性牺牲储存容量，带给消费者全新的笔电使用体验。其次，美光232层3D NAND技术也有助于优化行动装置的使用体验，让使用者可以更高速且低延迟的处理多项任务、下载或观赏喜爱的数位内容。
在智慧边缘端方面，采用232 层3D NAND 技术的产品可以设计得比过往更小尺寸、更高密度、更低功耗与更加快速等特点将有助于硬体业者推出更小型且省电的边缘设备，加速车联网、智慧运输、智慧港口、智慧制造与智慧零售等应用的普及。最后，232层3D NAND量产亦有助于资料中心提升储存设备的位元能源使用效率、在不断增长的数据资料量中取得平衡，同时，符合永续营运目标：降低用电量、减少碳排与占地等。
整体而言，美光232层3D NAND技术的问世，不仅代表美光在创新技术的持续突破，更对全球产业发展带来巨大助益，不仅装置设备变得更小、更快、更高效，智慧应用也得以普及化，加速智慧世代的到来。