​SK海力士出包，但产量未受到影响

材料掺有杂质 部分设备暂停运作 可能降低DRAM市场供给 有利南亚科、威刚、十铨
全球第二大DRAM厂南韩SK海力士惊传生产线出包，受材料因掺有杂质影响，导致旗下DRAM工厂部分设备暂停运作，本月产出卡关。时值DRAM市况下行，国际大厂陆续减产之际，SK海力士生产受挫，业界关注有望进一步降低市场供给，有利南亚科（2408）、威刚、十铨等台厂后市。
韩媒《The Elec》披露，因材料供应商SK Trichem提供含铪（Zirconium）的High-K材料掺有杂质，导致SK海力士生产线出现状况，本月生产流程卡关。
SK海力士证实此事，强调已立即清洁工厂产线，产量未受到影响，该公司正在调查这起事件，并要求SK Trichem赔偿因设备停摆及更换零件所造成的损失，并寻求UP Chemical和M Chemical作为High-K材料替代供应商。
业界人士指出，High-K材料是制造半导体用的高纯度前驱物，以原子级的厚度沉积在DRAM电容上，而电容是DRAM的重要组成部分，是DRAM效能良莠的关键，因此High-K材料的品质至关重要。
业界认为，在部分设备一度停摆下，就算及时获得替代供应商的协助，设备重新启动需要一段时间清理．仍会耽误到产线的运作，因此SK海力士的部分产能将会受到影响。在现阶段DRAM供过于求，大厂纷纷大举减产之际，SK海力士此次事件可能进一步降低市场供应，有机会改善供过于求的状态，同时降低高库存的压力。
台湾地区厂商正密切关注SK海力士生产线出包的影响。谈到DRAM后市，南亚科认为，要观察四大重点，包括通膨、疫情、供应链重组以及俄乌战争的状况，若四大观察重点有所改善，加上供应链库存持续去化，有利DRAM整体供需改善。
价格方面，南亚科预期，由于去年DRAM价格跌幅很大，据估计，去年第3季、第4季约各跌20%，今年第1季价格研判会持续下跌，惟跌幅可望逐渐缩小。
威刚董座陈立白认为，随着上游晶片供应商获利不再且投片态度转趋保守，今年首季DRAM与储存型快闪记忆体（NAND Flash）跌价幅度可望较去年第4季收敛，预期上半年DRAM价将回稳。
华邦总经理陈沛铭则说，个人电脑、工控、5G、基地台等市场逐步回温，研判本季有望是记忆体市场谷底，供过于求情况将于下半年逐步改善。