美国晶片补助附带条件出炉，三星与海力士暂且松口气

南韩媒体表示，南韩两大记忆体厂商-三星与 SK 海力士在美国针对晶片法案对企业的资金补助中提出的附带条件，可以让两家暂时松一口气之后，感到有些欣慰。不过，两家公司仍表示，他们都需要更多的空间，并呼吁政府与美国进行进一步谈判。

日前，美国商务部公布了其美国针对晶片法案资金补助提出的附带条件。而在法案的附带条件中，美国商务部限制接受资金补助的企业将其在中国和其他相关外国国家的设施，先进制程产能提高最多到 5%。不过，两家公司在中国生产成熟制程的晶圆厂，增加新生产线或扩大工厂产能的幅度最高来到 10%，这让两家公司暂时松了一口气。

根据美国商务部先前的规定，限制采用 28 奈米或以上更成熟制程技术所生产的逻辑芯片，另外是低于 128 层堆叠的 NAND Flash 快闪记忆体和以及大于 18 奈米制程的 DRAM产品。而美国商务部提出这些晶片法案补助对象的附带条件，目的除了吸引全球半导体制造商能够前往美国投资生产之外，另外也为了抗衡中国的影响力，并在与其竞争中占据上风。

报导表示，美国商务部长 Gina Raimondo 日前指出，美国的晶片法案从根本上说是一项国家安全倡议，这些附带条件将有助于他所说的所谓“确保恶意行为者”无法获得可用于对付美国和我们的盟友的尖端技术。尽管三星和 SK 海力士尚未透露他们是否会为其目前在美国建设或计划建设的项目，向申请美国的资金补助。但相关的附带条件引起了担忧，因为两家南韩公司都分别已经投资了数兆韩圜在中国建设和运营半导体工厂。
事实上，自 2012 年以来，三星已投资约 33 兆韩圜在中国西安市建立和运营半导体工厂，该工厂生产全球 NAND Flash 快闪记忆体总量的 40%。其竞争对手 SK 海力士也投资了约 25 兆韩圜，在中国无锡建立负责生产该公司近一半的 DRAM 产量。一位不愿透露姓名的南韩工业官员表示，之前有些人甚至担心三星和 SK 海力士可能不得不撤回其在中国市场的生产。但依照最新出炉的附带条件规定，这已经使得两家公司暂时避免了最坏的情况。
报导进一步引用南韩科学技术院半导体系统工程教授 Kim Joung-ho 说法表示，最新美国商务部公布的附带条件，可以看作是为南韩半导体制造商稍微打开了管道。不过，最终在美国的监视下，南韩企业要继续在中国投资和升级先进半导体生产设施并不容易。因此，南韩政府要与美国协商提高扩产的百分比。另外，由于政策每年更新一次，企业很难制定长期计划，因此政府也应要求美国将容许扩产的期限延长。
同时，针对美国晶片法案仍然要求申请资金补贴的企业要与美国政府共享敏感的商业资讯和超额利润。这部分的要求，南韩政府也必须要进一步与美国进行谈判。