三星传出Q2拟砍5% NAND产能；并引入先进制程、降低DRAM成本，而非减产

韩媒传出，三星电子(Samsung Electronics)的NAND型快闪记忆体产将减产5%，主要调整的是西安厂产能。

BusinessKorea 20日报导，三星今(2023)年第二季的NAND型快闪记忆体月产能会调整至620,000片12吋矽晶圆，较去年Q4减少5%多。
根据报导，Q2期间，三星将大砍西安厂产能，其中西安一厂(Xian Plant 1)月产能预料会下修至110,000片、较去年Q4的125,000片减少12%，西安二厂(Xian Plant 2)月产能则预料会从145,000片减产7%至135,000片。西安厂占据三星NAND总产量的40%，主要生产128-layer (V6) NAND型快闪记忆体。
三星电子4月7日发表2023年第一季初步财报时曾宣布大幅削减记忆体产量，理由是全球需求低迷，客户因库存充足而放慢采购。
BusinessKorea报导指出，当时三星表示，“我们会聚焦技术难度高的先进制程，并转换至DDR5及LPDDR5 DRAM。”“我们会将记忆体产能调整至适当水位。”业界内部人士分析，三星本次主要会减产DRAM。不过，也有业界观察家相信，三星应会选择下砍NAND型快闪记忆体产能，因为当今的记忆体市况颇不乐观。
南韩媒体The Elec 4月14日曾报导，消息显示，三星导入更先进制程以降低DRAM成本的速度趋缓，恐怕是该公司不得不跟进美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)减产的原因。倘若引入先进制程、降低成本的速度能快一些，三星或许就不必减产，还可趁着产业景气衰退之际扩大市占。
The Elec引述消息人士指出，三星过去都能抢在对手前克服挑战、维系领导地位，如今却频频提及EUV和摩尔定律已死，这些其实都是“藉口”。部分内部人甚至说，过去五年三星在研发新技术方面有点懈怠；该公司刚开始制造双栈(double-stack) NAND型快闪记忆体(V7)时也遇到困难。