DRAM价格恐难反弹，海力士拟扩大无锡厂旧制程产能，

据台湾媒体报道，美国商务部去年10月7日颁布半导体限制措施，针对中国境内18nm制程（含）以下设备进口，需经商务部审查。其中SK海力士（SK hynix）无锡厂获得一年的生产许可，但由于担忧地缘风险升高，加上需求清淡导致库存压力持续，于今年第一季开始减产，该厂每月投片量减少约30%。
无锡厂主流制程为1Ynm，原先计划将产能持续转进1Znm，并降低旧制程产量。然而，未来制程转进受限于美禁令影响，故SK海力士决议提升21nm产线比重，该制程主要产品为DDR3、DDR4 4Gb。长期而言，SK海力士扩产重心将转回韩国，无锡厂则用于供应中国内需，以及较旧制程的Consumer DRAM市场。长期来看，SK无锡厂产能陆续开出后将对其他原厂造成供货压力，价格要反弹恐更困难。