南亚科：第二代10nm产品年底量产

南亚科计划，10纳米1A制程DDR5下半年量产，1B制程年底前展开试产。公司已展开10纳米第二世代1B制程的前导产品试产，预期今年年底进入量产，目前规划有5颗产品正在研发中并将陆续导入试产。10纳米第三世代1C制程功能测试芯片正在试产，先导产品的设计同步进行中。在产业不景气时，南亚科持续投注研发，董事长吴嘉昭表示，在智能型电子产品多元化创新应用下，将推动DRAM需求成长，南亚科投资方向没有变化。在先进制程进度上，10nm第一世代（1A）新产品为今年重点，将推广至消费型机型及个人计算机应用市场，同时进行下世代DDR5的产品验证及量产准备。吴嘉昭指出，会依照市况来调整投资步调，当前来看，10nm第一世代新制程产品已完成前导产品8Gb DDR4客户验证，且在去年第4季开始少量生产，并同步降低30nm产品的投片。
至于运用10nm第二世代（1B）制程技术的前导产品已在试产中，吴嘉昭推估，应该会在今年底进入量产，目前规划有五颗产品正在研发中，将陆续导入试产，至于同样使用10nm第三世代（1C）制程技术的功能测试芯片则正在试产，先导产品的设计也同步进行中。