第六代1c DRAM芯片将成为主流，2024年大规模量产

据韩媒Money Today消息，业内人士表示内存芯片产品的需求将在2024年上半年大幅反弹，届时主流的工艺将是1c DRAM。几大头部厂商将以1b工艺为过渡，重点投资1c工艺的研发和量产。

三星、SK海力士、美光这三大DRAM原厂，目前都有能力大规模量产第五代10nm 1b 工艺节点DRAM芯片。不过，未来谁能够率先大规模量产第六代1c DRAM芯片，将决定公司在市场上是否有更多的份额。

消息人士表示，对于这三家内存芯片厂商来说，面临市场需求疲软、产能缩减的背景，宣布新工艺的大规模量产是没有意义的，因此目前的1b节点DRAM很可能只是一种过渡性产品，制造商不会对此投入过多精力，而下一代1c DRAM将是发力竞争的重点。