SMI展示SM8366企业级PCIe Gen 5控制器，个人端明年上市

SMI于中国台湾Computex 23台北国际电脑展透过动态展示的方式，展示SM8366企业级PCIe Gen 5控制器的效能表现，并预告个人端产品将于2024年第3季上市。
SM8366为SMI于2022年发表的企业级PCIe Gen 5x4介面双端（Dual Port）固态硬碟控制器，支援NVMe 2.0通讯协定，也能支援ZNS（Zoned Namespaces）功能，并具有16组快闪记忆体通道，快闪记忆体传输速度可达2400MT/s，相容TLC与QLC类型快闪记忆体颗粒。延伸阅读：
在SM8366的动态展示中，可以看到在NVMe模式下吞吐量达到2728K IOPS的成绩，使用ZNZ模式则可让连续读取速度达到13.2GB/s表现相当不错。
SM8366控制器支援16组通道、2400MT/s快闪记忆体，最高连续读写效能可达14GB/s。SM8366也支援许多企业级的功能与安全防护。SMI提供的SM8366动态展示平台。在使用NVMe模式下，最高连续读取速度可达10.4GB/s，吞吐量达到2728K IOPS。使用ZNZ模式，最高连续读取速度可达13.2GB/s，吞吐量则为108K IOPS。
个人端PCIe Gen 5控制器开发中SMI针对个人端应用、消费级市场所规划的产品为PCIe Gen 5x4介面的SM2508 控制器，它将采用TSMC（台积电）6nm节点制程，具有更为省电且降低运作温度的优势。它采用8通道架构并搭配DRAM缓冲记忆体，预计2023年底将会完成工程样品晶片，并在2024年第3季看到搭载这款控制器的固态硬碟产品。
此外SMI也规划了同样采用PCIe Gen 5x4介面、TSMC6nm节点制程的SM2504XT控制器，采用4通道架构，但为DRAM-Less无缓冲记忆体设计，对应的开发时程较SM2508慢1年，因此可能要到2025年才会看到对应的固态硬碟产品。
此外SMI也在会场展示了现在已经上市的SM2264、SM2668XT、SM2669XT等3款PCIe Gen 4x4介面的控制器。其中SM2264为旗舰级产品，采用8通道架构并搭配DRAM缓冲记忆体，最高读取速度与吞吐量分别可达7.5GB/s与1300K IOPS。
SM2668XT与SM2669XT都是4通道、DRAM-Less无缓冲记忆体架构，2者的主要规格差别造于快闪记忆体传输速度，导致彼此的存取效能有所差异。
SMI也在会场展示了现在已经上市的SM2264、SM2668XT、SM2669XT等3款PCIe Gen 4x4介面的控制器。
SM2264具有DRAM缓冲记忆体的旗舰级产品。
现场展示的连续存取效能可达7423.44MB/s、6574.94 MB/s。
SM2668XT则为4通道、DRAM-Less无缓冲记忆体架构，受益于快闪记忆体传输速度可达3200MT/s，让最高读取速度可达7.4GB/s。
SM2669XT同为4通道、DRAM-Less无缓冲记忆体架构，但快闪记忆体传输速度仅为1600MT/s，让最高读取速度可达5.1GB/s。
相较于搭载竞争对手Phison PCIe Gen 5介面控制器的固态硬碟已陆续上市，SMI则还需等到明年，希望届时能让市场变的更加有趣。