AI驱动 HBM供应逐年趋紧

辉达、谷歌和超微积极投入AI，带动HBM需求强劲增长。
辉达（NVIDIA）、谷歌（Google）和超微（AMD）积极投入AI，带动高频宽记忆体（HBM）需求强劲增长；法人估计，2023年HBM需求较去年增加99％，2024年将比2023年再增191％，2023年和2024年HBM供需仍趋于紧张。
券商研究单位分析，2023年供需比为-13％，2024年为-15％，市场将维持供不应求态势，这将促成三星、SK海力士及美光等三家记忆体大厂挪移部分产能转为生产HBM。
针对此一现象，对DRAM市场的影响如何？资深记忆体产业界人士分析，三大记忆体原厂目前都有做HBM，但投片比例不一，挪移部分产能去生产HBM，预期对主流DDR的产能有消化效果。
不过，因HBM的今年占比及占整体DRAM出货量比不高，仅有个位数，对DDR报价提高的帮助仍待后续观察。
根据外资券商花旗统计，2023年及2024年HBM供需将趋于紧张，主要原因是HBM需求近来大爆发，尤其是来自AI运算发展的加持。
花旗认为，近记忆体运算（near memory）将成为AI发展的关键技术，并可望带动第三代高频记忆体（HBM3）的强劲需求。
目前AI需求增长主要是围绕NVIDIA的DGX H100和AMD推出的MI300产品，但谷歌在其TPU中，采用HBM及DDR5来构建Bard基础设施，也有望支持HBM的需求增长。
2023年HBM DRAM供应量（1Gb）将达到31亿片（年增长80％）和，2024年将成长至87亿片，年增183％。
尽管需求强劲，但是花旗预期，供应商的产能增加有限，主要原因是设备供应瓶颈，导致矽穿孔TSV（Through Silicon Via）以及HBM后制流程的产能增加有限。
目前设备交货时间已延长至9～12个月；其次是记忆体业务持续亏损，使记忆体制造供应商有财务压力。
就需求来看，花旗预期，2023年HBM DRAM需求（1Gb）将达到35亿片（年增长99％），2024年将达到102亿片（年增长191％），供需之间，尚有颇大的缺口。