日本Rapidus、东大携手法机构研发1奈米晶片技术

日经新闻16日报导，日本晶片制造商Rapidus、东京大学将和Leti携手研发1nm等级晶片设计的基础技术，将在2024年正式展开人才交流、技术共享，目标活用Leti的半导体元件技术，建构提升自动驾驶、人工智慧(AI)性能所不可或缺的1nm晶片产品供应体制。
据报导，Rapidus、东大等日本国立大学以及理化学研究所参与的研究机构“最先进半导体技术中心(LSTC)”和Leti已在10月签订考虑合作的备忘录。LSTC和Leti的目标是确立1.4nm-1nm晶片研发所必要的基础技术。
报导指出，在2nm晶片的量产上，Rapidus正和美国IBM、比利时半导体研发机构imec合作，且也考虑在1nm等级产品上和IBM进行合作。预计在2030年代以后普及的1nm产品运算性能将较2nm提高1-2成。
美国麦肯锡指出，全球半导体市场规模预估将在2030年之前达到1兆美元、将较2021年的约6,000亿美元大增约7成。中国台湾台积电(2330)、南韩三星电子将在2025年量产2nm，而Rapidus位于北海道千岁市的2nm晶片研发/生产据点千岁工厂“IIM-1(第1栋厂房)”已于9月动工，试产产线计划在2025年4月启用、2027年开始进行量产。
产经新闻、时事通信社10月25日报导，Rapidus会长东哲郎25日在东京都举行的“内外情势调查会”上发表演说，关于Rapidus计划在2027年量产2nm晶片的计划，东哲郎指出，“非常有信心能够做到”。东哲郎并指出，除了计划量产的2nm晶片外，“也考虑研发1nm晶片”。
时事通信社10月24日报导，关于正在北海道千岁市兴建的新工厂，Rapidus会长东哲郎24日接受专访表示，“今后也打算兴建第2、第3座工厂，且也会盖在北海道千岁市”。
关于和可能变成竞争对手的中国台湾台积电、美国Intel等海外企业的关系，东哲郎指出，“不是竞争、而是互补关系”。东哲郎表示，在AI技术发展下、次世代半导体需求看增，将可在各自擅长的领域上互补客户多样的需求。
Rapidus设立于2022年8月，由丰田(Toyota)、Sony、NTT、NEC、软银(Softbank)、Denso、NAND Flash大厂铠侠(Kioxia)、三菱UFJ等8家日企共同出资设立。