美国政府将扩大对中国DRAM制造商的限制

美国政府计划扩大对中国存储器产业的限制，有助三星、SK 海力士受惠。据韩媒 Business Korea 认为，这有助于加速南韩 NAND 快闪存储器的库存消耗与价格反弹，提早恢复盈利。
业界人士 26 日透露，美国商务部计划从明年 1 月起对汽车、航空航太和国防等产业的 100 多家公司进行调查，评估美国企业对中国制半导体的依赖程度。待调查结束后，美国商务部将启动征收关税的程序，并考虑禁止美国国防公司进口中国半导体。
也因此，此举恐影响中国长江存储、长鑫存储和中芯国际等公司。根据白宫去年报告提到，威腾电子和美光等美国企业正受长江存储的激进定价而受直接威胁。在中国大力发展下，中国企业因价格极具竞争力，扩大在中低阶半导体市场的影响力。
Business Korea 预期，三星和 SK 海力士有望因而受惠，替代中国产品。目前业界认为，两间公司在中国经营的工厂可能列为出口管制的例外，如先前“验证最终使用者”（VEU）规定类似，三星和 SK 海力士中国厂进口美国半导体设备时无需单独获得美国许可。
KB Securities 分析师 Kim Dong-won 认为，由于供应减少、价格上涨，三星电子和 SK 海力士 NAND 业务将从明下半年开始实现盈利，加上 DRAM 已开始盈利，预计两间公司的业绩将从明下半年开始大幅改善。