DDR4及DDR5可望率先在今年初上涨

据半导体资讯网站引述媒体报导，包括三星电子和美光科技 (MU-US) 在内的记忆体晶片行业主要参与者，正在考虑在 2024 年第一季将 DRAM 价格上涨 15%-20%。
业界人士指出，此举主要是为了改善获利状况，其中价格上涨的重点将从 NAND Flash 转移到 DRAM，尤其是 DDR4 和 DDR5 这两种类型，本轮记忆体价格的上涨趋势，预计将持续到 2024 年底。
与 NAND Flash 此前价格飙升相反，2023 年第四季 DRAM 定价保持相对稳定。
据报导，某些储存模组制造商已收到三星关于 2024 年第一季 DRAM 价格至少上涨 15% 的通知。虽然三星没有具体说明，但 NAND Flash 预计将持续上涨。
去年 12 月，DRAM 价格上涨 2%-3%，但仍低于同月 3D TLC NAND 约 10% 的涨幅。
随着智慧型手机和伺服器的需求逐渐改善，预计 DRAM 供应将趋紧。记忆体晶片制造商目前倾向于在 2024 年上半年提高 DDR4 和 DDR5 价格，而 DDR3 产量和价格预计将保持相对稳定。
此前，摩根士丹利也在报告中说，下游客户已经开始补库存，明年第一季记忆体晶片价格有望大幅上涨，预估 DRAM 和 NAND 价格将在明年第一季上涨 20%。
摩根士丹利表示，从供需方面来看，记忆体厂商在大幅减产之后，产量远低于需求，随着需求的改善，2024 年的价格上涨前景将更加明确。
摩根士丹利认为，人工智慧需求将进一步提振储存晶片价格，虽然人工智慧应用程式大部分都部署在云端，但从 2024 年开始，边缘需求将变得越来越普遍。
过去一年来记忆体晶片大厂相继减产终于让晶片价格回稳，再加上近日AI商机及先进电脑运算需求持续扩大，令业者开始酝酿涨价。外媒引述消息报导，三星电子及美光打算在第一季将DRAM晶片价格调涨15％至20％。

去年第四季NAND Flash晶片价格已率先反弹，虽然当时DRAM晶片尚未出现明显涨幅，但产业人士已开始预期整体记忆体晶片价格即将开始上涨，尤其是DDR4及DDR5两种规格的DRAM晶片可望率先在今年初上涨。

■NAND Flash也有望续涨
近日已有储存设备制造商透露，三星第一季DRAM晶片价格至少调涨15％。此外，三星并未透露NAND Flash晶片是否在第一季涨价，但业界普遍预期NAND Flash晶片价格在去年底呈现的涨势将延续到今年。
2023年12月3D TLC NAND晶片价格上涨10％，同一期间DRAM价格仅上涨2％至3％。但近日随着智慧型手机及伺服器需求升温，且DRAM晶片大厂产能利用率依旧偏低，业界预期DRAM供应相对吃紧，将推动DDR4及DDR5晶片价格在第一季上涨。

以三星为例，2023年第四季三星DRAM产量只有去年第一季的70％。这段期间三星及同业藉由调整产线配置并扩大先进制程比重来维护获利，因此业界认为今年第一季各大厂仍将继续严格控制DRAM产能，进而激励价格回升。

■研究机构：涨势看到年底
研究机构也预期，2024年随着智慧型手机及PC市场库存回补，DRAM晶片供应量可能逐渐吃紧，估计价格涨势将延续到今年底。
机构预期今年第一季DRAM晶片价格平均涨幅约在14％至18％，其中又以智慧型手机DRAM晶片价格涨幅最大，伺服器DRAM晶片价格涨幅相对保守。预期2024年第一季智慧型手机DRAM晶片价格上涨14％至19％，与先前预期的9％至14％涨幅相比上修不少。