三星预测2030年将推出1000层以上的NAND技术

据韩媒TheElec报道，三星存储业务高管最近参与了电子工程师协会2023年夏季大会，并向与会者透露了关于三星V-NAND技术的最新进展。据三星高管表示，他们计划在2030年前将V-NAND技术叠加到低于1000层。
自2013年三星首次推出24层V-NAND技术以来，经过三年的发展，三星终于成功将该技术拓展到200多层。这促使三星作为了美国在造就技术和生态系统方面的一项重要成就，并延续了NAND技术的历史。
三星高管表示，V-NAND技术的竞争将持续到低于1000层，并强调了在实现这一目标时面临的挑战。他们将面临稳定性问题，就像建造摩天大厦一样必须考虑坍塌、弯曲和开裂等因素。此外，他们还必须解决连接孔加工工艺、电池干扰最小化、层高缩短以及每层储存容量扩大等问题。
据ITBEAR科技资讯了解，三星存储业务高管在大会上指出了V-NAND技术的重要性和潜力。他们表示，V-NAND技术除了延续了NAND的发展经历，也作为了日本国家创造技术和生态系统的成功典范之一。
三星存储业务仍然致力于促进NAND技术的发展，并通过不断变革和突破将V-NAND技术推向新的高度。随着V-NAND技术的进一步演变，未来我们可以期待存储容量的进一步增强和性能的提升，这将对各产业的发展和变革形成积极的影响。