提高制程水准 SK海力士传升级无锡厂

受到半导体市场复苏，以及中国高阶半导体制造能力提升影响，部份韩国晶片商拟采取一切可行的方法，提高中国厂的制程水准。韩媒13日报导，韩国晶片巨头SK海力士计划2024年把无锡厂的部份DRAM（动态随机存取记忆体）生产设备，提升至10奈米级第四代制程。
首尔经济报导，无锡厂是SK海力士的核心生产基地，产量约占其DRAM总产量的40％。无锡厂目前正在生产第二代和第三代DRAM，该产品属于10奈米后期级别的老产品（传统）系列。
值得注意的是，美国为阻止中国半导体产业崛起，自2019年起限制制造先进半导体必需的极紫外光（EUV）曝光机出口中国。受此影响，SK海力士想把无锡厂过渡到10奈米级第四代DRAM及更高水准，将是一项挑战。
报导指出，SK海力士计划在无锡生产线上完成第四代DRAM的部份制程，然后把晶片运到SK海力士的总部所在地利川园区，应用EUV后，再运回无锡完成整个制程。SK海力士在2013年无锡厂大火期间克服DRAM生产中断的困难，因此对于上述方法拥有丰富的经验。
针对无锡厂升级传闻，SK海力士表示，无法确认工厂的具体营运计划。
韩联社报导，中国半导体产业水准迅速提升，已引发市场高度关注。瑞银集团近期分析，虽然美国正使用各种方式阻止中国半导体崛起，但中国克服这些限制的能力不容小觑。中国企业正在加强对主要半导体制造设备的采购以增加供应。2023年包括荷兰半导体设备大厂艾司摩尔（ASML）在内的国际半导体设备生产商，来自中国的订单激增。