台积电次世代存储器MRAM大突破

中国台湾厂商台积电今天法说会登场前夕，昨（17）日抢先报喜，在次世代MRAM存储器相关技术传捷报，携手中国台湾工研院开发出自旋轨道转矩磁性存储器（SOT-MRAM）阵列晶片，搭配创新的运算架构，功耗仅其他类似技术的1%，称霸业界，为台积电抢攻AI、高效能运算（HPC）等当红商机增添动能。
业界指出，AI、5G时代来临，包括自驾车、精准医疗诊断、卫星影像辨识等应用，都需要更快、更稳、功耗更低的新世代存储器，MRAM采用硬碟中常见的精致磁性材料，能满足新世代存储器需求，吸引三星、英特尔、台积电等大厂投入研发。
过去MRAM主要应用在车用或基地台等，由于MRAM架构特性，使得资料保存、写入耐久性及写入速度等三大特点并无法兼得，数年前出现自旋转移扭矩（STT-MRAM）更新架构，解决上述三大特点无法兼得的问题，并进入商用化。
台积电已经成功开发出22奈米、16／12奈米制程等相关MRAM产品线，并手握存储器、车用等市场订单，抢占MRAM商机。台积电乘胜追击，与工研院携手开发出SOT-MRAM阵列晶片，搭配创新的运算架构。
台湾工研院昨天宣布，此次与台积电合作的开发出SOT-MRAM阵列晶片，搭配创新的运算架构，适用于存储器内运算，且功耗仅为STT-MRAM的1%。今年更开发出兼具低功耗、10奈秒高速工作等优点的SOT-MRAM单元。
MRAM本身就需要透过精致磁性材料打造，因此需要整合半导体及磁性元件等技术才能生产，过去主要应用在嵌入式存储器，例如搭配CPU使用作为其快取资料用途。这次台湾工研院、台积电合作研发成果，已经结合电路设计完成存储器内运算技术，进一步提升运算效能，跳脱MRAM过往以存储器为主的应用情境。
随AI、高效能运算等需求崛起，台积有机会透过SOT-MRAM加上先进封装，整合出更高运算速度的晶片，代表未来不论高效能运算、AI及车用晶片等相关市场，都有机会采用SOT-MRAM，台积将大咬商机。

MRAM中文名为“磁阻式随机存取存储器”，具备快速及非挥发性，存取速度快，断电也可保存资料，关键在于采用了硬碟中常见的精致磁性材料，并可整并在物联网装置中晶片设计的后端互连层。

虽然MRAM生产成本较DRAM昂贵，随着高速运算需求兴起，MRAM有机会与DRAM搭配使用，成为存储器市场新商机。