传三星已试产第二代3纳米芯片，力拚良率超过 60%

韩媒《朝鲜日报》（Chosun）引述业界人士的话表示，三星已开始制造第二代 3 纳米制程（SF3）试制品，并测试芯片性能和可靠性，目标是 6 个月力拚良率超过 60%。
台积电、三星都在积极争取客户，准备上半年量产第二代 3 纳米 GAA 架构制成，能否满足 Nvidia、高通、AMD 等大客户需求，同时迅速提高产量，是竞争中能否成功的关键。
三星正测试 SF3 试制芯片的性能和可靠性，首款产品将搭载即将推出的 Galaxy Watch 7 应用处理器（AP），预计明年用在 Galaxy S25 系列 Exynos 2500 芯片。
如果 SF3 产量和性能稳定，转向台积电的客户将有机会回流，例如三星就相当关注与高通的合作。后者在新一代 Snapdragon 8 Gen 3 中与台积电合作生产。此外，Nvidia H200、B100 和 AMD MI300X 预计也将采台积电3 纳米制程。
三星去年 11 月宣布，将于 2024 下半年量产 SF3 制程，虽然《朝鲜日报》报导未获三星回覆，但从时间看推测相当合理。不过，报导提到芯片良率 60%，但没提到电晶体数量、芯片尺寸、性能、功耗及其他规格。
此外，智慧手表应用处理器、手机芯片和资料中心处理器的芯片尺寸、性能和功耗目标完全不同。小型芯片如果良率只有 60%，要商用相当困难，但若是光罩尺寸（reticle size）的芯片良率为 60%，就相当合理。
但由于三星晶圆代工厂的 SF3 产量目标存在诸多不确定性，应谨慎看待这篇报导，不过 SF3 投产对三星和整个半导体业来说都是大事。