长鑫、长江存储扩产各有独门策略

据中国台湾Digitimes报道，长鑫2024年将扩充产能及推动国产设备使用率。长鑫存储推动18.5纳米制程量产，避开美国商务部对18纳米以下的技术管制，二期新厂将力推中国国产化设备采用率大幅提升，全年产能规模将逐季成长。日前自行研发LPDDR5 DRAM 存储器进入量产后，2024年将逐步针对合肥二期新厂推动扩产计划。
据指出，长鑫的合肥1期厂区已接近满产，单月规模达10万片左右，北京厂也在2023年逐步放量，2024年上半将达到单月3万片规模。若合肥二厂在年底提升至4万片月产能，届时长鑫将有机会在全球DRAM产能站上10%市占率，中长期规画将朝向30万片扩产规模。
而长江存储在遭列美国实体清单后，决定将采取自己研发路径，3D NAND堆叠制程蓝图已规画至300层以上，但关键设备进口遭受阻挠，上游材料和设备产能的国产化脚步将成最大挑战。
由于美国对128层以上NAND Flash设备出口订下禁止红线，长江存储2023年推出“五台山”为命名的“合规”产品，刻意将层数堆叠降至120层，本预期五台山系列将作为2024年的扩产重点，且预定将增加月产量约3万~4万片规模，然而合规产品仍难取得美国的管制松绑，原先列为实体清单的限制并未解除，产能扩充计划也将遭受阻碍。
长江存储按照内部研发脚步推进，后续仍将延续以中国名山为命名代号的传统，除了232层的武当山系列，三清山、太行山等陆续规画进行中，而太行山将可望超过300层堆叠，但考量3D NAND堆叠的限制敏感，未来长江存储将不会刻意对外公布堆叠层数的进展。