SK海力士计划将HBM产能增加一倍以上

消息显示，韩国半导体制造商SK海力士将扩大其高频宽存储器（High Bandwidth Memory）生产设施投资，以应对高性能AI产品需求的增加。该公司计划，对通过矽通孔（TSV）相关的设施投资将比2023年增加一倍以上，力图将产能翻倍，并计划在2024年上半年开始生产其第五代高频宽内存产品HBM3E。
SK海力士财报显示，该公司第四财季实现了1,131兆韩元（约84.6亿美元）的营收和3,460亿韩元（约2.59亿美元）的营运利润，这标志着该公司连续五个季度营业亏损后再度转为获利。
SK海力士转亏为盈主要归因于HBM3（High Bandwidth Memory 3）和DDR5（Double Data Rate 5）的强劲销售。与前一年相比，SK海力士在2023年的DDR5和HBM3销售额分别增加了四倍和五倍以上。为了延续这一上升趋势，SK海力士计划开始大规模生产人工智慧芯片HBM3E，并加速第六代HBM4的开发。
“我们预计HBM3E产品在2024年将会有巨大的需求，并计划在年初开始大规模生产。我们打算根据这一需求将TSV产能翻倍，”该公司在一次电话会议中表示。关于是否追加投资，公司还表达了更谨慎的立场，“要等经过对长期需求、市场条件和供应链状况的慎重考虑后再做决定。”
SK海力士计划准备生产MCRDIMM和LPCAMM2，前者是将多个DRAM整合到一个基板上的高容量伺服器模组，后者是一种基于低功耗（LP） DDR5X的高效能行动模组，二者旨在满足AI伺服器需求和设备端AI市场。
在专注于生产高附加价值产品的同时，SK海力士计划将资本支出的成长最小化，并强调稳定的业务运作。“与前一年相比，我们将投资削减了一半以上，以应对需求疲软的情况。我们在2024年的策略是保持谨慎的态度，专注于确保成长和盈利的领域，同时避免增加投资导致进入供应过剩的周期。”财务长金宇贤表示。
SK海力士解释说，自从2023年第三季以，该公司来一直保持谨慎的生产策略，包括减产，导致销售超过了生产，随后改善了库存水准。“我们将继续保持谨慎的生产策略，直到2024年实现库存正常化，同时预计DRAM的产量将在上半年保持稳定，NAND快闪存储器的产量将在下半年保持稳定，”该公司表示。
分析师预计，该芯片制造商2024年的营运利润将10兆韩元（约88.5亿美元）。还有分析师预计该公司2024年营运利润将达到10.6兆韩元（约94.2亿美元），分析师认为，主要因为人工智慧芯片需求预计将增加。
自2023年初以来，SK海力士股价因其AI能力上涨近50%。
近日，韩国企划财政部公布了《2023年税法修正案后续执行令草案》，将主要应用于人工智慧（AI）领域的高频宽存储器（HBM）指定为国家战略技术。内容指出，未来HBM相关的研发费用，中小企业将可获得40%~50%的税收抵免，大中型企业将可获得30%~40%的税收抵免。